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title: "China stellt EUV-Quellen-Prototyp FlintNano vor: Serienproduktion in 3–5 Jahren"
description: "Chinas Langdao Silex hat den EUV-Quellen-Prototyp FlintNano LPP-OXXO mit einer Ausgangsleistung von über 15 W vorgestellt. Bis zur Serienproduktion benötigt das Unternehmen 3–5 Jahre Entwicklungszeit."
date: 2026-10-17T02:47:52.214Z
lang: de
url: https://xab.info/de/posts/china-stellt-euv-quellen-prototyp-flintnano-vor
tags: [china, euv-lithography, semiconductors, langdao-silex, asml, chip-manufacturing]
author: "Alexander Buran"
publisher: "XAB.info"
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# China stellt EUV-Quellen-Prototyp FlintNano vor: Serienproduktion in 3–5 Jahren

![Prototyp der EUV-Quelle FlintNano LPP-OXXO von Langdao Silex auf einer Ausstellung](https://xab.info/media/2026/10/17/kitay-pokazal-prototip-euv-istochnika-flintnano-do-seriynogo-proizvodstva-3-5-let/kitay-pokazal-prototip-euv-istochnika-flintnano-do-seriynogo-proizvodstva-3-5-let-1.webp)

## Kernpunkte

- Langdao Silex präsentierte den EUV-Quellen-Prototyp FlintNano LPP-OXXO auf einer Messe in Shanghai
- Die Ausgangsleistung des Prototyps liegt bei über 15 W und damit deutlich unter den Industriestandards von Hunderten Watt
- Die Serienproduktion wird dem Unternehmen 3 bis 5 Jahre abverlangen
- 90 % der Komponenten werden in China hergestellt, das Projekt wird von einem ehemaligen ASML-Mitarbeiter geleitet
- China produziert bereits DUV-Anlagen, deren Lieferung für 2026 erwartet wird

Das chinesische Technologieunternehmen Langdao Silex hat erstmals öffentlich einen Prototypen seiner eigenen Extrem-Ultraviolett-Strahlungsquelle (EUV) für die EUV-Lithographie vorgestellt. Die Präsentation des FlintNano LPP-OXXO-Systems fand auf der 26. China International Industry Fair in Shanghai statt. Nach Angaben von Unternehmensvertretern werden rund 90 % der Systemkomponenten in China hergestellt, und die meisten Schlüsselkomponenten wurden direkt innerhalb von Langdao Silex entwickelt. Zum Team hinter dem Projekt gehört ein ehemaliger Mitarbeiter der ASML Holding, was die strategische Bedeutung der Entwicklung für die chinesische Halbleiterindustrie unterstreicht.

### Technische Daten des Prototyps

Das FlintNano LPP-OXXO-System basiert auf der Technologie des laserinduzierten Plasmas (LPP): Ein leistungsstarker Laser trifft auf mikroskopische Zinntröpfchen und verwandelt diese in Plasma, das Strahlung mit einer Wellenlänge von ca. 13,5 nm aussendet. Laut den von Langdao Silex veröffentlichten Spezifikationen hat der Treiblaser eine Leistung von 1000 W, die Impulsfrequenz beträgt 1–20 kHz und die Energieumwandlungseffizienz übersteigt 2 %. Die angegebene EUV-Ausgangsleistung liegt bei über 15 W, die Helligkeit bei 100 W/(mm²·sr). Das Unternehmen gibt zudem eine kontinuierliche Betriebszeit von über 100 Stunden, eine Plasmagröße von 60 µm, eine Plasmastabilität von 3 % RMS und eine Energiestabilität von 5 % an. Bemerkenswert ist, dass einige Fachpublikationen unter Berufung auf Daten chinesischer Forscher einen Energieumwandlungskoeffizienten von rund 3,4 % nennen, was den auf der Präsentation genannten Wert leicht übersteigt.

### Abstand zu Industriestandards

Zwischen den Fähigkeiten des Prototyps von Langdao Silex und den Anforderungen an kommerzielle EUV-Systeme besteht nach wie vor eine erhebliche Lücke. Industrielle Lithographieanlagen erfordern Lichtquellen mit einer Leistung von mehreren Hundert Watt, die über längere Zeit hinweg stabil arbeiten können. Zum Vergleich: ASML erreichte bereits 2018 eine EUV-Quellenleistung von 250 W, was den Übergang zur Serienproduktion von Chips mittels EUV-Lithographie ermöglichte. Im April 2025 stellte das niederländische Unternehmen eine 1000-W-Quelle vor, deren kommerzielle Einführung jedoch ebenfalls weitere Ingenieursarbeit erfordert. Somit verbleiben die von Langdao Silex angegebenen 15 W auf dem Niveau eines Laborprototyps und nicht einer industriellen Lösung.

### Roadmap und Hauptsherausforderungen

Langdao Silex gibt an, dass für die Hochleistungsserie FlintMicro-LPP der Machbarkeitsnachweis erbracht wurde, während sich die leistungsschwächere Serie FlintNano-LPP in der Produktentwicklungsphase befindet. Dennoch wird es nach Einschätzung des Unternehmens selbst noch drei bis fünf Jahre dauern, bis die kommerzielle Großserienproduktion beginnt. Die Hauptschwierigkeiten liegen in der Steigerung der Ausgangsleistung und der Erhöhung der langfristigen Betriebsstabilität. Neben der Lichtquelle selbst erfordert die Schaffung eines wettbewerbsfähigen EUV-Systems Präzisionsoptiken, hochpräzise Wafer-Positionierungsmechanismen und eine komplexe Systemintegration. Die Anlagen von ASML bestehen aus Hunderttausenden von Komponenten, die von über 800 Unternehmen weltweit geliefert werden – ein Ökosystem, das sich nicht über Nacht reproduzieren lässt.

### Kontext: DUV bereits in Produktion, EUV ist der nächste Schritt

Zuvor wurde bekannt, dass China die Produktion weniger fortgeschrittener Lithographieanlagen für tiefes Ultraviolett (DUV) bereits eingerichtet hat und Lieferungen an große lokale Chiphersteller für 2026 erwartet werden. EUV bleibt eine weitaus komplexere Herausforderung, die Fortschritte in einer Reihe kritischer Teilsysteme erfordert. Für ASML ist China ein wichtiger Markt, auf den rund 20 % des Jahresumsatzes des niederländischen Herstellers entfallen. Gleichzeitig schätzen Analysten, dass ASML mehr über mögliche neue US-Sanktionen besorgt ist als über das aktuelle Niveau chinesischer Entwicklungen im Bereich der EUV-Lithographie. Die öffentliche Demonstration des Prototyps von Langdao Silex ist jedoch ein symbolischer Schritt, der bestätigt, dass China seinen technologischen Rückstand in einem der kritischsten Bereiche der Halbleiterindustrie schrittweise verringert.

## Die Angaben gehen auseinander

### Energieumwandlungseffizienz der EUV-Quelle

- **Langdao Silex (laut 3dnews.ru):** Die Energieumwandlungseffizienz übersteigt 2 % ([3dnews.ru](https://3dnews.ru/1149991/kitay-pokazal-sobstvenniy-istochnik-euvizlucheniya-dlya-vipuska-peredovih-chipov-do-seriynogo-proizvodstva-eshchyo-35-let))
- **Langdao Silex Forscher (laut ixbt.com):** Der Energieumwandlungskoeffizient liegt bei etwa 3,4 % ([ixbt.com](https://www.ixbt.com/live/offtopic/kitay-priblizilsya-k-sobstvennoy-euv-litografii-byvshiy-sotrudnik-asml-pomog-v-razrabotke-klyuchevyh-elementov.html))

*Worin sie übereinstimmen:* Langdao Silex präsentierte den EUV-Quellen-Prototyp FlintNano LPP-OXXO auf der Messe in Shanghai; alle Quellen bestätigen die Demonstration und die LPP-Technologie.

## Faktencheck und Quellen

- [Китай показал собственный источник EUV-излучения для выпуска передовых чипов — до серийного производства ещё 3–5 лет window-new](https://3dnews.ru/1149991/kitay-pokazal-sobstvenniy-istochnik-euvizlucheniya-dlya-vipuska-peredovih-chipov-do-seriynogo-proizvodstva-eshchyo-35-let) - Primärquelle. Alle wesentlichen technischen Merkmale und Aussagen von Langdao Silex stammen aus diesem Material.
- [Китайский стартап показал источник экстремального ультрафиолетового излучения для ...](https://shazoo.ru/2026/10/16/192530/kitaiskii-startap-pokazal-istocnik-ekstremalnogo-ultrafioletovogo-izluceniia-dlia-proizvodstva-mikrocipov-s-lokalizaciei-90) - Bestätigt den Veranstaltungsort (Shanghai, China International Industry Fair), den Lokalisierungsgrad von 90 %, die LPP-Technologie sowie Chinas Anteil am ASML-Umsatz (~20%).
- [Китай разработал ключевой компонент для суверенной EUV-литографии — помог бывший инженер ASML](https://3dnews.ru/1146606/kitay-razrabotal-klyuchevoy-komponent-dlya-suverennoy-euvlitografii-pomog-bivshiy-ingener-asml) - Первоисточник. Все основные технические характеристики и заявления Langdao Silex взяты из этого материала.
- [Китай приблизился к собственной EUV-литографии: бывший сотрудник ASML помог в разработке ключевых ...](https://www.ixbt.com/live/offtopic/kitay-priblizilsya-k-sobstvennoy-euv-litografii-byvshiy-sotrudnik-asml-pomog-v-razrabotke-klyuchevyh-elementov.html) - Bestätigt die Mitwirkung eines ehemaligen ASML-Mitarbeiters. Nennt einen Wirkungsgrad von ~3,4 %, was von dem Wert >2 % aus der Primärquelle abweicht.

## Häufige Fragen

### Was ist EUV-Lithographie und wozu wird sie benötigt?

EUV-Lithographie ist eine Technologie zur Belichtung von Feinstrukturen auf Siliziumwafern mittels extremem ultraviolettem Licht (Wellenlänge ~13,5 nm). Sie wird für die Herstellung von Chips in den fortschrittlichsten Prozessknoten (7 nm und darunter) benötigt. Ohne EUV-Ausstattung ist eine Massenproduktion moderner Hochleistungs-Prozessoren unmöglich.

### Wie nah ist der Prototyp von Langdao Silex am industriellen Niveau?

Er hinkt deutlich hinterher. Die Ausgangsleistung des Prototyps liegt bei über 15 W, während industrielle EUV-Systeme Lichtquellen mit einer Leistung von mehreren Hundert Watt erfordern. ASML hat 250 W bereits 2018 erreicht. Zudem erfordert ein kommerzielles System Präzisionsoptiken, Positionierungsmechanismen und die Integration Hunderttausender Komponenten.

### Wann kann China EUV-Anlagen in Serie produzieren?

Nach eigenen Schätzungen von Langdao Silex wird es noch drei bis fünf Jahre dauern, bis die kommerzielle Großserienproduktion anläuft. Dabei geht es nur um die Lichtquelle – eine von vielen Komponenten eines Lithographiesystems. Der Bau einer vollständigen EUV-Maschine wird wesentlich länger dauern.

### Welche Technologie wird in FlintNano LPP-OXXO verwendet?

Das System basiert auf der Technologie des laserinduzierten Plasmas (LPP): Ein 1000-W-Laser trifft auf mikroskopische Zinntröpfchen und wandelt sie in Plasma um, das EUV-Strahlung aussendet. Dies ist genau dasselbe Prinzip, das in ASML-Systemen angewendet wird.