--- title: "Infineon fertigt funktionstuechtige Siliziumkarbid-Chips auf 300-mm-Wafern: Erster Industrietest bestanden" description: "Infineon hat erfolgreich funktionstüchtige Siliziumkarbid-Chips auf 300-mm-Wafern im Werk Villach produziert und dabei eine 2,3-fach höhere Ausbeute pro Wafer erzielt. Zudem wurde die Cold-Split-Technologie in Dresden validiert; die Planung der Serienfertigung erfolgt in Abstimmung mit Partnern." date: 2026-11-11T16:55:37.365Z lang: de url: https://xab.info/de/posts/infineon-sic-300mm-wafer-produktion tags: [infineon, silicon-carbide, power-semiconductors, 300mm-wafers, ev, ai-datacenters] author: "Alexander Buran" publisher: "XAB.info" --- # Infineon fertigt funktionstuechtige Siliziumkarbid-Chips auf 300-mm-Wafern: Erster Industrietest bestanden ![Zwei Siliziumwafer von Infineon mit großem Durchmesser stehen auf Holzständern vor grauem Hintergrund](https://xab.info/media/2026/11/11/infineon-sic-chipy-300mm-plastiny/infineon-sic-chipy-300mm-plastiny-1.webp) ## Kernpunkte - Infineon demonstriert weltweit erste funktionale 300-mm-SiC-Chips in industriellem Umfeld in Villach - Der Umstieg von 200 mm auf 300 mm steigert den Output pro Wafer um den Faktor 2,3 - Cold-Split-Technologie für 300-mm-SiC-Wafer am Standort Dresden verifiziert - Nutzung bestehender Silizium-Produktionsanlagen senkt Skalierungskosten drastisch - Kernmärkte: E-Mobilität, Ladeinfrastruktur, Energiespeicher und KI-Rechenzentren Das deutsche Unternehmen Infineon Technologies hat einen bedeutenden technologischen Meilenstein im Bereich der Leistungshalbleiter bekannt gegeben: Dem Unternehmen ist es gelungen, funktionstüchtige Chips aus Siliziumkarbid (SiC) auf 300-mm-Siliziumwafern herzustellen. Die Tests wurden im Werk im österreichischen Villach unter Verwendung von Anlagen durchgeführt, die bereits für die Produktion herkömmlicher Siliziumchips eingesetzt werden. Laut Infineon handelt es sich um die erste derartige Demonstration in einer voll industrialisierten Produktionsumgebung und nicht in einem Laboraufbau. Der Übergang zu größeren Wafern ermöglicht eine Ausbeute von 2,3-mal mehr Chips pro Scheibe im Vergleich zum bestehenden 200-mm-Format, was sich direkt auf die Stückkosten pro Chip auswirkt. ### Kompatibilitaet mit bestehenden Anlagen ist ein Schlüsselfaktor Von entscheidender Bedeutung ist, dass Infineon keinen neuen, spezialisierten Maschinenpark für die Verarbeitung von 300-mm-Siliziumkarbid-Wafern anschaffen musste. Die Nutzung vorhandener Produktionsanlagen, die über Jahre hinweg für die Siliziumchip-Fertigung optimiert wurden, senkt die Eintrittshürde für das neue Format erheblich und vereinfacht die Skalierung der Produktion. Dies bedeutet, dass das Unternehmen Kapazitäten aufbauen kann, ohne die massiven Investitionskosten tätigen zu müssen, die normalerweise beim Übergang zu grundlegend neuen Technologieknoten anfallen. ### Cold-Split-Technologie in Dresden getestet Parallel zu den Tests in Villach validierte Infineon die Cold-Split-Technologie an 300-mm-Siliziumkarbid-Wafern am Standort Dresden. Cold Split ermöglicht es, dünne Wafer schneller und mit geringerem Materialverlust vom Ausgangskristall zu trennen als mit herkömmlichen mechanischen Sägeverfahren. In Kombination mit der Kompatibilität zu bestehenden Anlagen ebnet dies den Weg für weitere Kostensenkungen und eine einfachere Skalierung. Das Unternehmen teilte mit, es wolle die Technologie weiterentwickeln und Zeitpläne für die Einführung in die Serienfertigung mit Partnern diskutieren, während die bestehende 200-mm-Wafer-Linie weiter ausgebaut wird. ### Anwendungsmaerkte: Von Elektroautos bis zu KI-Rechenzentren Leistungskomponenten auf Basis von Siliziumkarbid sind in Elektrofahrzeugen, Ladestationen, Energiespeichersystemen und Industrieanlagen stark gefragt. Sie ermöglichen eine effizientere Stromumwandlung und halten hohen Spannungen und Temperaturen stand, was für die Leistungselektronik der nächsten Generation von entscheidender Bedeutung ist. Ein weiteres vielversprechendes Feld, auf das Infineon hinweist, sind Rechenzentren für Künstliche Intelligenz, wo solche Chips in Netzteilen, Halbleitertransformatoren und Schutzschaltern eingesetzt werden können. Der steigende Energiebedarf der KI-Infrastruktur macht dieses Segment zu einem der dynamischsten für SiC-Komponenten. ### Kontext und Ausblick Die Demonstration von Infineon im November 2026 unterstreicht den allgemeinen Trend in der Halbleiterindustrie hin zu größeren Wafern für eine breite Palette von Materialien, einschließlich Siliziumkarbid und Galliumnitrid. Die Vergrößerung des Durchmessers von 200 auf 300 mm ist ein Standardschritt für die Siliziumindustrie, aber für SiC – wo Kristallisation und Materialverarbeitung wesentlich komplexer sind – erfordert dieser Übergang spezifische Ingenieursarbeit. Das erfolgreiche Bestehen eines industriellen Tests mit vorhandenen Anlagen verschafft Infineon einen Wettbewerbsvorteil gegenüber Konkurrenten, die möglicherweise längere Anpassungszyklen für ihre Produktionslinien benötigen. ## Faktencheck und Quellen - [Карбид кремния переходит на новый формат: Infineon изготовила рабочие чипы из карбида кремния на 300-миллиметровых пластинах](https://www.ixbt.com/news/2026/11/11/karbid-kremniia-perexodit-na-novyi-format-infineon-izgotovila-rabocie-cipy-iz-karbida-kremniia-na-300-millimetrovyx-plastinax.html) - Die Quelle enthält alle Fakten: Testorte (Villach, Dresden), Ausbeutefaktor 2,3x, Beschreibung von Cold Split, Pläne zum Erhalt der 200-mm-Linie und Kooperation mit Partnern, Zielmärkte. ## Häufige Fragen ### Was genau hat Infineon auf den 300-mm-Wafern hergestellt? Das Unternehmen hat funktionsfähige Siliziumkarbid-Chips (SiC) auf 300-mm-Siliziumwafern gefertigt. Die Tests fanden im Werk Villach (Österreich) statt, wobei Anlagen für die Standard-Silizium-Chip-Produktion genutzt wurden. ### Welchen Produktivitätsgewinn bringt der Umstieg auf 300 mm? Durch den Wechsel auf 300-mm-Wafer können 2,3-mal mehr Chips im Vergleich zum 200-mm-Format gewonnen werden. ### Was ist die Cold-Split-Technologie und wo wurde sie getestet? Cold Split ist ein Verfahren zur Abtrennung dünner Wafer vom Kristall, das schneller und materialsparender ist als herkömmliche Sägemethoden. Infineon testete dies an 300-mm-SiC-Wafern am Standort Dresden. ### Wird Infineon das 200-mm-Wafer-Format aufgeben? Nein. Das Unternehmen erklärte, dass es die 200-mm-Linie weiterentwickelt und parallel dazu am 300-mm-Format arbeitet. ### Wo werden SiC-Komponenten eingesetzt? SiC-Leistungskomponenten werden in E-Autos, Ladestationen, Energiespeichern und Industrieanlagen verwendet und sind zunehmend wichtig für KI-Rechenzentren (Netzteile, Halbleitertransformatoren, Schutzschalter).