Taiwanesische Wissenschaftler entwickeln atomaren Pufferschicht, die Atom-Mikrochips näher bringt
Taiwanesische Forscher haben eine Aluminiumoxid-Pufferschicht mit einer Dicke von 0,42 nm entwickelt, die Transistoren auf Basis zweidimensionaler MoS₂-Halbleiter verbessert und die Herstellung von Atom-Mikrochips näher bringt.
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