--- title: "Infineon изготовила рабочие чипы из карбида кремния на 300-миллиметровых пластинах: первый промышленный тест пройден" description: "Infineon изготовила рабочие чипы из карбида кремния на 300-миллиметровых пластинах на заводе в Филлахе, получив в 2,3 раза больше кристаллов с одной заготовки. Компания также проверила технологию Cold Split в Дрездене и намерена обсудить с партнёрами сроки серийного внедрения." date: 2026-11-11T16:55:37.365Z lang: ru url: https://xab.info/posts/infineon-sic-chipy-300mm-plastiny tags: [infineon, silicon-carbide, power-semiconductors, 300mm-wafers, ev, ai-datacenters] author: "Александр Буран" publisher: "XAB.info" --- # Infineon изготовила рабочие чипы из карбида кремния на 300-миллиметровых пластинах: первый промышленный тест пройден ![Две кремниевые пластины Infineon большого диаметра стоят на деревянных подставках на сером фоне](https://xab.info/media/2026/11/11/infineon-sic-chipy-300mm-plastiny/infineon-sic-chipy-300mm-plastiny-1.webp) ## Ключевые тезисы - Infineon впервые продемонстрировала рабочие SiC-чипы на 300-мм пластинах в условиях промышленного производства в Филлахе - Переход с 200 мм на 300 мм даёт прирост выхода чипов в 2,3 раза с одной заготовки - Технология Cold Split для 300-мм SiC-пластин проверена на заводе в Дрездене - Компания использует существующее кремниевое оборудование, что снижает затраты на масштабирование - Ключевые рынки применения: электромобили, зарядная инфраструктура, накопители энергии, дата-центры ИИ Немецкая Infineon Technologies объявила о значимом технологическом достижении в области силовых полупроводников: компания успешно изготовила работающие чипы из карбида кремния (SiC) на кремниевых пластинах диаметром 300 мм. Испытания были проведены на заводе в австрийском Филлахе с использованием оборудования, которое уже применяется для выпуска стандартных кремниевых микросхем. По заявлению Infineon, это первая подобная демонстрация в условиях полноценного промышленного производства, а не лабораторного стенда. Переход на более крупные пластины позволит получать с одной заготовки в 2,3 раза больше чипов по сравнению с действующим форматом 200 мм, что напрямую влияет на себестоимость каждого кристалла. ### Совместимость с существующим оборудованием — ключевой фактор Особое значение имеет то, что Infineon не потребовало закупки нового специализированного парка станков для работы с 300-миллиметровыми пластинами из карбида кремния. Использование уже имеющегося производственного оборудования, отточенного за годы выпуска кремниевых чипов, существенно снижает барьер входа в новый формат и упрощает масштабирование выпуска. Это означает, что компания может наращивать мощности без капитальных затрат на уровне, характерного для перехода на принципиально новые технологические узлы. ### Технология Cold Split проверена в Дрездене Параллельно с испытаниями в Филлахе Infineon протестировала технологию Cold Split на 300-миллиметровых пластинах из карбида кремния на своём предприятии в Дрездене. Cold Split позволяет отделять тонкие пластины от исходного кристалла быстрее и с меньшими потерями материала по сравнению с традиционной механической резкой. В сочетании с совместимостью с существующим оборудованием это открывает путь к дальнейшему снижению затрат и упрощению процесса масштабирования. Компания заявила, что намерена продолжить разработку технологии и обсудить с партнёрами сроки её внедрения в серийное производство, при этом не отказываясь от развития действующей линии пластин формата 200 мм. ### Рынок применения: от электромобилей до дата-центров ИИ Силовые компоненты на основе карбида кремния востребованы в электромобилях, зарядных станциях, системах накопления энергии и промышленном оборудовании. Они позволяют эффективнее преобразовывать электричество, выдерживают высокие напряжения и температуры, что критично для силовой электроники нового поколения. Ещё одно перспективное направление, на которое указывает Infineon, — дата-центры для искусственного интеллекта, где такие чипы могут использоваться в источниках питания, твердотельных трансформаторах и автоматических выключателях. Рост энергопотребления ИИ-инфраструктуры делает этот сегмент одним из наиболее динамичных для SiC-компонентов. ### Контекст и перспективы Демонстрация Infineon в ноябре 2026 года подчёркивает общий тренд полупроводниковой отрасли на переход к более крупным пластинам для широкого спектра материалов, включая карбид кремния и нитрид галлия. Увеличение диаметра заготовки с 200 до 300 мм — стандартный шаг для кремниевой отрасли, однако для SiC, где кристаллизация и обработка материала существенно сложнее, этот переход требует отдельной инженерной работы. Успешное прохождение промышленного теста на существующем оборудовании ставит Infineon в выгодное положение относительно конкурентов, которые могут требовать более длительных циклов адаптации производственных линий. ## Проверка фактов и источники - [Карбид кремния переходит на новый формат: Infineon изготовила рабочие чипы из карбида кремния на 300-миллиметровых пластинах](https://www.ixbt.com/news/2026/11/11/karbid-kremniia-perexodit-na-novyi-format-infineon-izgotovila-rabocie-cipy-iz-karbida-kremniia-na-300-millimetrovyx-plastinax.html) - Первоисточник содержит все ключевые факты: локация испытаний (Филлах, Дрезден), множитель выхода 2,3x, описание Cold Split, планы компании по развитию 200-мм линии и обсуждению сроков с партнёрами, перечень рынков применения. ## Частые вопросы ### Что именно изготовила Infineon на 300-миллиметровых пластинах? Компания изготовила работающие чипы из карбида кремния (SiC) на кремниевых пластинах диаметром 300 мм. Испытания прошли на заводе в Филлахе (Австрия) с использованием оборудования для выпуска обычных кремниевых микросхем. ### Какой прирост производительности даёт переход на 300 мм? С одной заготовки 300 мм получается в 2,3 раза больше чипов по сравнению с форматом 200 мм. ### Что такое технология Cold Split и где она была проверена? Cold Split — метод отделения пластин от исходного кристалла, позволяющий делать это быстрее и с меньшими потерями материала, чем при традиционной резке. Infineon проверила её на 300-мм SiC-пластинах на предприятии в Дрездене. ### Откажется ли Infineon от 200-миллиметровых пластин? Нет. Компания заявила, что не отказывается от развития линии пластин формата 200 мм и намерена параллельно продолжать работу в обоих форматах. ### В каких сферах применяются SiC-компоненты? Силовые компоненты на основе карбида кремния используются в электромобилях, зарядных станциях, системах накопления энергии, промышленном оборудовании, а также перспективны для дата-центров ИИ (источники питания, твердотельные трансформаторы, автоматические выключатели).