---
title: "Китай показал прототип EUV-источника FlintNano: до серийного производства — 3–5 лет"
description: "Китайская Langdao Silex представила прототип EUV-источника FlintNano LPP-OXXO с выходной мощностью свыше 15 Вт. До серийного производства компании потребуется 3–5 лет инженерной доработки."
date: 2026-10-17T02:47:52.214Z
lang: ru
url: https://xab.info/posts/kitay-pokazal-prototip-euv-istochnika-flintnano-do-seriynogo-proizvodstva-3-5-let
tags: [china, euv-lithography, semiconductors, langdao-silex, asml, chip-manufacturing]
author: "Александр Буран"
publisher: "XAB.info"
---

# Китай показал прототип EUV-источника FlintNano: до серийного производства — 3–5 лет

![Прототип EUV-источника FlintNano LPP-OXXO компании Langdao Silex, представленный на выставке](https://xab.info/media/2026/10/17/kitay-pokazal-prototip-euv-istochnika-flintnano-do-seriynogo-proizvodstva-3-5-let/kitay-pokazal-prototip-euv-istochnika-flintnano-do-seriynogo-proizvodstva-3-5-let-1.webp)

## Ключевые тезисы

- Langdao Silex публично продемонстрировала прототип EUV-источника FlintNano LPP-OXXO на ярмарке в Шанхае
- Выходная мощность прототипа — свыше 15 Вт, что значительно ниже промышленных стандартов в сотни ватт
- До серийного производства компании потребуется от 3 до 5 лет
- 90 % компонентов произведены в Китае, проект возглавляет бывший сотрудник ASML
- Китай уже выпускает DUV-установки, поставки которых ожидаются в 2026 году

Китайская технологическая компания Langdao Silex впервые публично продемонстрировала прототип собственного источника экстремального ультрафиолетового излучения для EUV-литографии. Презентация установки FlintNano LPP-OXXO прошла на 26-й Китайской международной промышленной ярмарке (China International Industry Fair) в Шанхае. По заявлению представителей компании, около 90 % компонентов системы произведены в Китае, а большинство ключевых узлов разработано непосредственно внутри Langdao Silex. Команда, стоящая за проектом, включает бывшего сотрудника ASML Holding, что подчёркивает стратегическую важность разработки для китайской полупроводниковой отрасли.

### Технические характеристики прототипа

Установка FlintNano LPP-OXXO построена на технологии лазерно-индуцированной плазмы (LPP): мощный лазер воздействует на микроскопические капли олова, превращая их в плазму, которая испускает излучение с длиной волны около 13,5 нм. Согласно опубликованным Langdao Silex характеристикам, приводной лазер имеет мощность 1000 Вт, частота импульсов составляет 1–20 кГц, а эффективность преобразования энергии превышает 2 %. Заявленная выходная мощность EUV-излучения — свыше 15 Вт, яркость — 100 Вт/(мм²·ср). Компания также указывает возможность непрерывной работы более 100 часов, размер области плазмы 60 мкм, стабильность плазмы 3 % RMS и стабильность энергии 5 %. Примечательно, что ряд профильных изданий, ссылаясь на данные китайских исследователей, приводит коэффициент преобразования энергии на уровне около 3,4 %, что несколько превышает цифру, озвученную на презентации.

### Разрыв с промышленными стандартами

Между возможностями прототипа Langdao Silex и требованиями, предъявляемыми к коммерческим EUV-системам, сохраняется значительный разрыв. Для промышленных литографических установок необходимы источники мощностью в несколько сотен ватт, способные стабильно работать в течение длительного времени. Для сравнения: ASML достигла мощности EUV-источника в 250 Вт ещё в 2018 году, что позволило перейти к серийному производству чипов с использованием EUV-литографии. В апреле 2025 года нидерландская компания продемонстрировала источник мощностью 1000 Вт, однако его коммерческое внедрение также требует дальнейшей инженерной работы. Таким образом, 15 Вт, заявленные Langdao Silex, пока остаются на уровне лабораторного прототипа, а не промышленного решения.

### Дорожная карта и ключевые вызовы

Langdao Silex заявляет, что для серии высокомощных источников FlintMicro-LPP завершена принципиальная проверка технологии, а маломощная серия FlintNano-LPP находится на стадии продуктовой разработки. Тем не менее до начала полномасштабного коммерческого производства, по оценкам самой компании, пройдёт от трёх до пяти лет. Главные сложности заключаются в увеличении выходной мощности и повышении стабильности работы в долгосрочной перспективе. Помимо самого источника, для создания конкурентоспособной EUV-системы потребуются прецизионная оптика, высокоточные механизмы позиционирования пластин и сложная системная интеграция. Установки ASML состоят из сотен тысяч компонентов, которые поставляют более 800 компаний по всему миру — это экосистема, которую невозможно воспроизвести в сжатые сроки.

### Контекст: DUV уже в производстве, EUV — следующая ступень

Ранее стало известно, что в Китае уже налажено производство менее совершенных литографических установок, работающих в глубоком ультрафиолете (DUV), и их поставки крупным местным производителям чипов ожидаются в 2026 году. EUV остаётся значительно более сложной задачей, требующей прогресса в целом ряде критически важных подсистем. Для ASML Китай является важным рынком: на него приходится около 20 % годовой выручки нидерландского производителя. При этом, по оценкам аналитиков, ASML в большей степени обеспокоена возможными новыми санкционными ограничениями со стороны США, чем текущим уровнем китайских разработок в области EUV-литографии. Тем не менее публичная демонстрация прототипа Langdao Silex стала символическим шагом, подтверждающим, что Китай последовательно сокращает технологическое отставание в одной из наиболее критичных для полупроводниковой отрасли сфер.

## Версии расходятся

### Эффективность преобразования энергии EUV-источника

- **Langdao Silex (по данным 3dnews.ru):** Эффективность преобразования энергии превышает 2 % ([3dnews.ru](https://3dnews.ru/1149991/kitay-pokazal-sobstvenniy-istochnik-euvizlucheniya-dlya-vipuska-peredovih-chipov-do-seriynogo-proizvodstva-eshchyo-35-let))
- **Исследователи Langdao Silex (по данным ixbt.com):** Коэффициент преобразования энергии составляет около 3,4 % ([ixbt.com](https://www.ixbt.com/live/offtopic/kitay-priblizilsya-k-sobstvennoy-euv-litografii-byvshiy-sotrudnik-asml-pomog-v-razrabotke-klyuchevyh-elementov.html))

*В чём сходятся:* Langdao Silex представила прототип EUV-источника FlintNano LPP-OXXO на ярмарке в Шанхае; все источники подтверждают факт демонстрации и технологию LPP.

## Проверка фактов и источники

- [Китай показал собственный источник EUV-излучения для выпуска передовых чипов — до серийного производства ещё 3–5 лет window-new](https://3dnews.ru/1149991/kitay-pokazal-sobstvenniy-istochnik-euvizlucheniya-dlya-vipuska-peredovih-chipov-do-seriynogo-proizvodstva-eshchyo-35-let) - Первоисточник. Все основные технические характеристики и заявления Langdao Silex взяты из этого материала.
- [Китайский стартап показал источник экстремального ультрафиолетового излучения для ...](https://shazoo.ru/2026/10/16/192530/kitaiskii-startap-pokazal-istocnik-ekstremalnogo-ultrafioletovogo-izluceniia-dlia-proizvodstva-mikrocipov-s-lokalizaciei-90) - Подтверждает место презентации (Шанхай, China International Industry Fair), долю локализации 90%, технологию LPP, долю Китая в выручке ASML (~20%).
- [Китай разработал ключевой компонент для суверенной EUV-литографии — помог бывший инженер ASML](https://3dnews.ru/1146606/kitay-razrabotal-klyuchevoy-komponent-dlya-suverennoy-euvlitografii-pomog-bivshiy-ingener-asml) - Первоисточник. Все основные технические характеристики и заявления Langdao Silex взяты из этого материала.
- [Китай приблизился к собственной EUV-литографии: бывший сотрудник ASML помог в разработке ключевых ...](https://www.ixbt.com/live/offtopic/kitay-priblizilsya-k-sobstvennoy-euv-litografii-byvshiy-sotrudnik-asml-pomog-v-razrabotke-klyuchevyh-elementov.html) - Подтверждает участие бывшего сотрудника ASML. Приводит КПД ~3.4%, что расходится с цифрой >2% из первоисточника.

## Частые вопросы

### Что такое EUV-литография и зачем она нужна?

EUV-литография — технология нанесения сверхмалых структур на кремниевые пластины с использованием излучения экстремального ультрафиолета (длина волны ~13,5 нм). Она необходима для производства чипов по самым передовым техпроцессам (7 нм и ниже). Без EUV-оборудования невозможно массовое производство современных высокопроизводительных процессоров.

### Насколько прототип Langdao Silex близок к промышленному уровню?

Значительно отстаёт. Выходная мощность прототипа — свыше 15 Вт, тогда как промышленные EUV-системы требуют источники мощностью в несколько сотен ватт. ASML достигла 250 Вт ещё в 2018 году. Кроме того, для коммерческой системы нужны прецизионная оптика, механизмы позиционирования и интеграция сотен тысяч компонентов.

### Когда Китай сможет серийно выпускать EUV-установки?

По собственным оценкам Langdao Silex, до начала полномасштабного коммерческого производства пройдёт от трёх до пяти лет. При этом речь идёт лишь об источнике излучения — одном из многих узлов литографической системы. Создание полной EUV-машины потребует значительно больше времени.

### Какая технология используется в FlintNano LPP-OXXO?

Установка основана на технологии лазерно-индуцированной плазмы (LPP): лазер мощностью 1000 Вт воздействует на микроскопические капли олова, превращая их в плазму, которая испускает EUV-излучение. Это тот же принцип, что применяется в системах ASML.