Прорыв TSMC и тайваньских учёных: как атомарный интерфейс спасает 2D-транзисторы от деградации
🚀 TSMC и тайваньские учёные совершили прорыв в 2D-электронике! Разработан новый метод создания транзисторов на основе дисульфида молибдена (MoS₂).
🔬 Суть проблемы: обычные изоляторы плохо наносятся на 2D-материалы и снижают их производительность.
💡 Решение: создание атомарного буфера из оксида алюминия между MoS₂ и диэлектриком HfO₂.
📉 Результат: толщина диэлектрика снижена до 1 нм без потери подвижности электронов. Это открывает путь к чипам, значительно более эффективным, чем кремниевые аналоги.
#TSMC #MoS2 #Semiconductors #TechNews #2DTransistors
Читать далее →