Тайваньские учёные создали атомарный буферный слой, приближающий микрочипы атомного размера
Тайваньские исследователи создали буферный слой оксида алюминия толщиной 0,42 нм, который улучшает транзисторы на двумерных полупроводниках MoS₂ и приближает создание микрочипов атомного размера.
Читать далее →