#Transistors

Тайваньские исследователи создали буферный слой оксида алюминия толщиной 0,42 нм, который улучшает транзисторы на двумерных полупроводниках MoS₂ и приближает создание микрочипов атомного размера.

🚀 TSMC и тайваньские учёные совершили прорыв в 2D-электронике! Разработан новый метод создания транзисторов на основе дисульфида молибдена (MoS₂). 🔬 Суть проблемы: обычные изоляторы плохо наносятся на 2D-материалы и снижают их производительность. 💡 Решение: создание атомарного буфера из оксида алюминия между MoS₂ и диэлектриком HfO₂. 📉 Результат: толщина диэлектрика снижена до 1 нм без потери подвижности электронов. Это открывает путь к чипам, значительно более эффективным, чем кремниевые аналоги. #TSMC #MoS2 #Semiconductors #TechNews #2DTransistors

🚀 TSMC и NYCU представили прорывную технологию чипов нового поколения. Инженеры разработали метод создания 2D-транзисторов на основе дисульфида молибдена (MoS₂), который решает проблему управления током на нанометровом уровне. Ключевое решение — использование ультратонкого слоя оксида алюминия (0,42 нм) для идеального покрытия. Это может стать основой для процессоров с рекордной плотностью и энергоэффективностью в ближайшие годы. #TSMC #Semiconductors #MoS2 #TechNews