---
title: "Infineon виготовила робочі чипи з карбіду кремнію на 300-міліметрових пластинах: перший промисловий тест пройдено"
description: "Infineon виготовила робочі чипи з карбіду кремнію на 300-міліметрових пластинах на заводі у Філласі, отримавши у 2,3 раза більше кристалів з однієї заготовки. Компанія також перевірила технологію Cold Split у Дрездені та має намір обговорити з партнерами терміни серійного впровадження."
date: 2026-11-11T16:55:37.365Z
lang: uk
url: https://xab.info/uk/posts/infineon-sic-chipy-300mm-plastyny
tags: [infineon, silicon-carbide, power-semiconductors, 300mm-wafers, ev, ai-datacenters]
author: "Олександр Буран"
publisher: "XAB.info"
---

# Infineon виготовила робочі чипи з карбіду кремнію на 300-міліметрових пластинах: перший промисловий тест пройдено

![Дві кремнієві пластини Infineon великого діаметру стоять на дерев'яних підставках на сірому фоні](https://xab.info/media/2026/11/11/infineon-sic-chipy-300mm-plastiny/infineon-sic-chipy-300mm-plastiny-1.webp)

## Ключові тези

- Infineon вперше продемонструвала робочі SiC-чипи на 300-мм пластинах в умовах промислового виробництва у Філласі
- Перехід з 200 мм на 300 мм дає приріст виходу чипів у 2,3 раза з однієї заготовки
- Технологія Cold Split для 300-мм SiC-пластин перевірена на заводі у Дрездені
- Компанія використовує існуюче кремнієве обладнання, що знижує витрати на масштабування
- Ключові ринки застосування: електромобілі, зарядна інфраструктура, накопичувачі енергії, дата-центри ШІ

Німецька компанія Infineon Technologies оголосила про значне технологічне досягнення у сфері силових напівпровідників: компанія успішно виготовила робочі чипи з карбіду кремнію (SiC) на кремнієвих пластинах діаметром 300 мм. Випробування були проведені на заводі в австрійському Філласі з використанням обладнання, яке вже застосовується для випуску стандартних кремнієвих мікросхем. За заявою Infineon, це перша подібна демонстрація в умовах повноцінного промислового виробництва, а не лабораторного стенду. Перехід на більші пластини дозволить отримувати з однієї заготовки у 2,3 раза більше чипів у порівнянні з діючим форматом 200 мм, що прямо впливає на собівартість кожного кристала.

### Сумісність із існуючим обладнанням — ключовий фактор

Особливе значення має те, що Infineon не потребувала закупівлі нового спеціалізованого парку верстатів для роботи з 300-міліметровими пластинами з карбіду кремнію. Використання вже наявного виробничого обладнання, відточеного за роки випуску кремнієвих чипів, суттєво знижує бар'єр входу в новий формат і спрощує масштабування випуску. Це означає, що компанія може нарощувати потужності без капітальних витрат на рівні, характерному для переходу на принципово нові технологічні вузли.

### Технологія Cold Split перевірена у Дрездені

Паралельно з випробуваннями у Філласі Infineon протестувала технологію Cold Split на 300-міліметрових пластинах з карбіду кремнію на своєму підприємстві у Дрездені. Cold Split дозволяє відокремлювати тонкі пластини від вихідного кристала швидше і з меншими втратами матеріалу в порівнянні з традиційним механічним різанням. У поєднанні із сумісністю з існуючим обладнанням це відкриває шлях до подальшого зниження витрат та спрощення процесу масштабування. Компанія заявила, що має намір продовжити розробку технології та обговорити з партнерами терміни її впровадження у серійне виробництво, при цьому не відмовляючись від розвитку діючої лінії пластин формату 200 мм.

### Ринок застосування: від електромобілів до дата-центрів ШІ

Силові компоненти на основі карбіду кремнію затребувані в електромобілях, зарядних станціях, системах накопичення енергії та промисловому обладнанні. Вони дозволяють ефективніше перетворювати електрику, витримують високі напруги та температури, що критично для силової електроніки нового покоління. Ще один перспективний напрямок, на який вказує Infineon — дата-центри для штучного інтелекту, де такі чипи можуть використовуватися в джерелах живлення, твердотільних трансформаторах та автоматичних вимикачах. Зростання енергоспоживання ШІ-інфраструктури робить цей сегмент одним із найбільш динамічних для SiC-компонентів.

### Контекст та перспективи

Демонстрація Infineon у листопаді 2026 року підкреслює загальний тренд напівпровідникової галузі на перехід до більших пластин для широкого спектра матеріалів, включаючи карбід кремнію та нітрид галію. Збільшення діаметра заготовки з 200 до 300 мм — стандартний крок для кремнієвої галузі, проте для SiC, де кристалізація та обробка матеріалу суттєво складніші, цей перехід вимагає окремої інженерної роботи. Успішне проходження промислового тесту на існуючому обладнанні ставить Infineon у вигідне становище відносно конкурентів, яким можуть знадобитися більш тривалі цикли адаптації виробничих ліній.

## Перевірка фактів і джерела

- [Карбид кремния переходит на новый формат: Infineon изготовила рабочие чипы из карбида кремния на 300-миллиметровых пластинах](https://www.ixbt.com/news/2026/11/11/karbid-kremniia-perexodit-na-novyi-format-infineon-izgotovila-rabocie-cipy-iz-karbida-kremniia-na-300-millimetrovyx-plastinax.html) - Першоджерело містить усі ключові факти: локація випробувань (Філлах, Дрезден), множник виходу 2,3x, опис Cold Split, плани компанії щодо розвитку 200-мм лінії та обговорення термінів із партнерами, перелік ринків застосування.

## Часті запитання

### Що саме виготовила Infineon на 300-міліметрових пластинах?

Компанія виготовила працюючі чипи з карбіду кремнію (SiC) на кремнієвих пластинах діаметром 300 мм. Випробування пройшли на заводі у Філласі (Австрія) з використанням обладнання для випуску звичайних кремнієвих мікросхем.

### Який приріст продуктивності дає перехід на 300 мм?

З однієї заготовки 300 мм отримують у 2,3 раза більше чипів порівняно з форматом 200 мм.

### Що таке технологія Cold Split і де її перевірили?

Cold Split — метод відділення пластин від вихідного кристала, що дозволяє робити це швидше і з меншими втратами матеріалу, ніж при традиційному різанні. Infineon перевірила її на 300-мм SiC-пластинах на підприємстві у Дрездені.

### Чи відмовиться Infineon від 200-міліметрових пластин?

Ні. Компанія заявила, що не відмовляється від розвитку лінії пластин формату 200 мм і має намір паралельно продовжувати роботу в обох форматах.

### У яких сферах застосовуються SiC-компоненти?

Силові компоненти на основі карбіду кремнію використовуються в електромобілях, зарядних станціях, системах накопичення енергії, промисловому обладнанні, а також є перспективними для дата-центрів ШІ (джерела живлення, твердотільні трансформатори, автоматичні вимикачі).