--- title: "Китайський прорив у сфері EUV-літографії: як колишній інженер ASML допоміг Пекіну створити власне джерело випромінювання" description: "🇨🇳 Китай створив власне джерело EUV-випромінювання для літографії! 🚀 Допоміг колишній інженер ASML Лінь Нань. Ефективність 3,42% — поки мало для масового виробництва, але крок вперед! ⚡️ Санкції Заходу не зупинили Пекін. #Китай #EUV #ASML #Чіпи #Технології" date: 2026-08-11T23:12:22.000Z lang: uk url: https://xab.info/uk/posts/kitaj-stvoriv-vlasne-dzherelo-euv-viprominyuvannya-dlya-litografii-dopomig-kolishnij-inzhenier-asml tags: [china, semiconductor, euv-lithography, asml, lin-nan, chip-production, technology-sanctions] publisher: "XAB.info" --- # Китайський прорив у сфері EUV-літографії: як колишній інженер ASML допоміг Пекіну створити власне джерело випромінювання ![EUV-літографічна установка з фіолетовим випромінюванням, що символізує китайський прорив у створенні власного джерела випромінювання за участі колишнього інженера ASML](https://xab.info/media/2026/08/12/kitaj-razrabotal-kluchevoy-komponent-dlya-suverennoy-euv-litografii-pomog-byvshiy-inzhener-asml/kitaj-razrabotal-kluchevoy-komponent-dlya-suverennoy-euv-litografii-pomog-byvshiy-inzhener-asml-1.webp) ## 🎯 Key Points - Китай створив джерело EUV-випромінювання з ефективністю 3,42% - Колишній інженер ASML Лінь Нань допоміг у розробці - Потужність джерела 100–150 Вт проти 600 Вт у ASML - Повноцінний сканер можливий не раніше 2028–2030 року - Санкції Заходу стимулюють китайський технологічний суверенітет У серпні 2026 року китайська напівпровідникова галузь зробила ще один крок до технологічного суверенітету. Дослідники з КНР успішно створили джерело лазерного випромінювання в діапазоні екстремального ультрафіолету (EUV) — ключовий компонент для літографічних сканерів, необхідних для виробництва чіпів з нормами менше 7 нм. Цього досягнення вдалося досягти завдяки участі Ліня Наня, колишнього інженера нідерландської компанії ASML, який, за даними джерела Newsbit, передав свої знання китайським розробникам. ### Технологічний прорив та його обмеження Створене китайськими вченими джерело EUV-випромінювання демонструє ефективність перетворення енергії на корисне випромінювання на рівні 3,42 %. Хоча цей показник вважається прийнятним для експериментальних установок, він значно поступається сучасним серійним системам, які видають близько 600 Вт потужності. Для порівняння, ASML планує підвищити потужність своїх джерел до 1000 Вт, що дозволить збільшити продуктивність випуску чіпів. Китайський прототип поки працює в діапазоні 100–150 Вт, що робить його непридатним для масового виробництва. ### Роль Ліня Наня та передача технологій Лінь Нань, який працював у ASML у Нідерландах, спеціалізувався на розробці лазерів для EUV-систем. Його участь у китайському проекті стала вирішальним фактором у створенні джерела випромінювання. Однак, як зазначають експерти, одного лише джерела недостатньо для створення повноцінного EUV-сканера. Необхідні складні системи дзеркал, прецизійні приводи та спеціалізоване програмне забезпечення, які поки перебувають на стадії розробки в Китаї. ### Суперечливі дані Існують розбіжності щодо реальних можливостей китайської EUV-системи. За даними Reuters, прототипи сканерів китайської розробки поки не мають достатньо якісної оптики, що ставить під сумнів їхню працездатність у промислових умовах. Деякі джерела припускають, що повноцінний EUV-сканер китайці зможуть створити не раніше 2028 або навіть 2030 року. У той же час, інші експерти вважають, що поточні досягнення вже свідчать про серйозний прогрес і можуть прискорити терміни виходу на ринок. ### Геополітичний контекст та санкції Постачання EUV-обладнання до Китаю було заборонено ще у 2019 році за ініціативи влади Нідерландів, де розташована штаб-квартира ASML. Пізніше цю ініціативу підтримали й американські влади, прагнучи обмежити технологічний розвиток КНР. Внаслідок цього китайська напівпровідникова промисловість змушена покладатися на власні сили, що робить створення власного джерела EUV-випромінювання стратегічно важливим досягненням. ### Перспективи та виклики Попри успіхи, китайській індустрії належить подолати безліч викликів. Створення повноцінного EUV-сканера вимагає не лише потужного джерела випромінювання, але й високоточної оптики, прецизійних приводів та складного програмного забезпечення. Крім того, необхідно забезпечити стабільність та надійність роботи системи в умовах масового виробництва. Експерти вважають, що Китай зможе досягти цих цілей у найближчі 2–4 роки, але конкуренція із західними виробниками залишиться гострою. ## 🔍 Fact-Check Verification - [Колишні інженери ASML таємно побудували в Китаї прототип EUV-літографа — він працює, але чіпи поки не ...](https://3dnews.ru/1134074/bivshie-ingeneri-asml-tayno-postroili-v-kitae-prototip-euvlitografa-on-rabotaet-no-chipi-poka-ne-delaet) - Подтверждает создание источника EUV-излучения и участие Линя Наня. - [В Китаї стартувало тестування власної машини для EUV-літографії](https://overclockers.ru/blog/goldas/show/245785/V-Kitae-startovalo-testirovanie-sobstvennoj-mashiny-dlya-EUV-litografii) - Подтверждает тестирование прототипа EUV-установки в Китае. - [США підозрюють, що Китай міг отримати передове EUV-обладнання від Європи](https://www.ixbt.com/live/offtopic/ssha-podozrevayut-chto-kitay-mog-poluchit-peredovoe-euv-oborudovanie-ot-evropy.html) - Подтверждено по источнику ixbt.com - [Китай створив прототип EUV-установки для виробництва чіпів](https://overclockers.ru/blog/Global_Chronicles/show/245853/Kitaj-sozdal-prototip-EUV-ustanovki-dlya-proizvodstva-chipov) - Подтверждает тестирование прототипа EUV-установки в Китае. ## ❓ FAQ ### Q: Що таке EUV-літографія? **A:** EUV-літографія — це технологія виробництва напівпровідникових чіпів із використанням екстремального ультрафіолетового випромінювання для створення мікроскопічних структур на кремнієвих пластинах. ### Q: Чому Китай створив власне джерело EUV-випромінювання? **A:** Через санкції Заходу, які забороняють постачання EUV-обладнання до Китаю, Пекін змушений розробляти власні технології для забезпечення технологічного суверенітету. ### Q: Хто такий Лінь Нань? **A:** Лінь Нань — колишній інженер ASML, який спеціалізувався на розробці лазерів для EUV-систем. Він допоміг китайським дослідникам створити джерело EUV-випромінювання. ### Q: Коли Китай зможе створити повноцінний EUV-сканер? **A:** Експерти припускають, що повноцінний EUV-сканер китайці зможуть створити не раніше 2028–2030 року, залежно від прогресу у розробці оптики та програмного забезпечення.