--- title: "Колишній очільник Intel інвестував у пам'ять Z2RAM: щільність DRAM, швидкість SRAM і простота флеш-пам'яті в одному кристалі" description: "Колишній очільник Intel Патрік Гелсінгер інвестував у Nagare Labs, яка розробляє пам'ять Z2RAM із щільністю DRAM, швидкістю SRAM і простотою флеш-пам'яті. Прототипи поки що в лабораторії, серійні чипи чекають за чотири роки." date: 2026-10-28T16:00:11.953Z lang: uk url: https://xab.info/uk/posts/nagare-labs-z2ram-pamyat-investytsiya-helsynger tags: [z2ram, nagare-labs, memory, dram, sram, intel, patrick-gelsinger, ai-hardware, semiconductors] author: "Олександр Буран" publisher: "XAB.info" --- # Колишній очільник Intel інвестував у пам'ять Z2RAM: щільність DRAM, швидкість SRAM і простота флеш-пам'яті в одному кристалі ![Інтерфейс 3D-кристала пам'яті Z2RAM з багаторівневою структурою та високою щільністю комірок](https://xab.info/media/2026/10/28/nagare-labs-z2ram-pamyat-investicija-gelsinger/nagare-labs-z2ram-pamyat-investicija-gelsinger-1.webp) ## Ключові тези - Патрік Гелсінгер інвестував у стартап Nagare Labs, що розробляє пам'ять Z2RAM. - Z2RAM обіцяє щільність DRAM, швидкість SRAM і простоту виробництва, близьку до NAND. - Перша версія Z2RAM дає більш ніж п'ятикратну щільність порівняно з SRAM у тому ж кристалі. - Прототипи поки що в лабораторії; працездатні чипи очікуються за ~4 роки, масові постачання — за ~10 років. - Ключові ризики — відсутність стандартного інтерфейсу та низька стабільність оксидних напівпровідників. Колишній генеральний директор Intel Патрік Гелсінгер минулого року інвестував власний капітал у стартап Nagare Labs, який розробляє новий клас пам'яті під назвою Z2RAM. За задумом творців, цей тип пам'яті має поєднати найкращі властивості трьох усталених технологій: щільність пакування, характерну для DRAM, швидкість роботи, порівнянну з SRAM, і масштабованість, близьку до флеш-пам'яті. Як пояснив Гелсінгер виданню The Register, за останні три десятиліття ринок пам'яті не бачив принципових інновацій — усі розробки обертаються навколо тієї самої тріади SRAM, DRAM і флеш-пам'яті, — тому поява альтернативного підходу викликає підвищений інтерес інвесторів і виробників. ### Технологічна основа: оксидні напівпровідники та 3D-зрощування Технологія Nagare Labs побудована на оксидних напівпровідниках і передбачає інтеграцію пам'яті безпосередньо у обчислювальні компоненти з використанням технологій зрощування в тривимірному компонуванні. Концептуально Z2RAM нагадує пам'ять 3D V-Cache, яку AMD розміщує на частині своїх процесорів Ryzen: в упаковці логічного чипа з'являється додатковий шар із пам'яттю, що збільшує доступний об'єм кешу третього рівня. При цьому, за словами представників Nagare Labs, за швидкодією Z2RAM ближча до SRAM, а за механізмом зберігання даних — до DRAM: на відміну від комірки DRAM, що складається з одного транзистора і конденсатора, комірка Z2RAM містить два транзистори, використовуючи ємність затвора другого для зберігання заряду, що знижує затримки під час операцій читання. ### Щільність: понад уп'ятеро вища за SRAM у тому ж кристалі У першому втіленні Z2RAM обіцяє щільність у перерахунку на біт більш ніж уп'ятеро вищу, ніж у SRAM. Якщо кристал SRAM у заданому просторі розміщує близько 64 Мбайт пам'яті, то Z2RAM у тому ж об'ємі пропонує вже приблизно 320 Мбайт за збереження пропускної здатності на порівнянному з SRAM рівні. Подібні об'єми не вражають на тлі флагманських прискорювачів із пам'яттю HBM, проте для прискорювачів на базі SRAM, таких як Nvidia Groq, це може стати суттєвим прогресом: чипи Groq 3 типу LPU пропонують близько 500 Мбайт SRAM, і при переході на Z2RAM цей об'єм теоретично може зрости вп'ятеро і більше. ### Виробництво: простіше за HBM, але поки що лише в лабораторії Вертикальне багаторівневе компонування Z2RAM формально нагадує HBM, але з погляду технології виробництва воно ближче до формування шарів у мікросхемах NAND, що, за оцінкою стартапу, робить її значно дешевшою за HBM і простішою у виготовленні. При цьому Гелсінгер визнає, що в парі «щільність плюс швидкодействие» HBM на сьогодні залишається найкращим на ринку, нехай і з обмеженнями щодо щільності, енергоспоживання та пропускної здатності на периферійних ділянках чипа. Прототипи Z2RAM за межі лабораторій поки що не виходили, тому Nagare Labs шукає партнера з дослідною виробничою лінією для випуску перших зразків. Працездатні чипи компанія планує отримати протягом чотирьох років, а масові постачання серійних примірників — налагодити протягом найближчих десяти років. ### Ризики: відсутність стандарту та нестабільність оксидів Компанія готова співпрацювати з розробниками сторонніх чипів, які бажають інтегрувати Z2RAM у свої компоненти, проте на цьому шляху стоять дві перешкоди. Перша — відсутність стандартного інтерфейсу: стартап міг би розробити його самостійно, але це складне завдання. Друга — низька стабільність властивостей виробів з оксидних напівпровідників, яка ускладнює масштабування виробництва. За словами представників Nagare Labs, суворі галузеві стандарти вже «поховали» чимало розробок у сфері нових типів пам'яті, але ринок водночас відкриває й нові можливості. Гелсінгер зазначає, що бум штучного інтелекту виявив гостру потребу як у пропускній здатності, так і в ємності пам'яті, що використовується в існуючій інфраструктурі, тому до проривних розробок у цій сфері зберігається величезний інтерес і знаходяться капітальні ресурси на їх стимулювання. ## Перевірка фактів і джерела - [Память будущего: Z2RAM объединит лучшее от DRAM, SRAM и NAND — в разработку вложился бывший глава Intel window-new](https://3dnews.ru/1150546/pamyat-budushchego-z2ram-obedinit-luchshee-ot-dram-sram-i-nand-v-razrabotku-vlogilsya-bivshiy-glava-intel) - Першоджерело: факт інвестицій Гелсінгера та опис технології Z2RAM підтверджені; кількісні показники щільності та строки — заяви Nagare Labs, не верифіковані незалежно. ## Часті запитання ### Що таке Z2RAM? Z2RAM — новий тип пам'яті, що розробляється стартапом Nagare Labs на основі оксидних напівпровідників. Він поєднує щільність DRAM, швидкість SRAM і масштабованість флеш-пам'яті, використовуючи вертикальне багаторівневе компонування зі зрощуванням. ### Хто інвестував у розробку Z2RAM? У капітал Nagare Labs минулого року інвестував колишній генеральний директор Intel Патрік Гелсінгер. ### Наскільки Z2RAM щільніша за SRAM? За заявою Nagare Labs, у першому втіленні щільність Z2RAM у перерахунку на біт більш ніж уп'ятеро вища, ніж у SRAM: там, де SRAM розміщує 64 Мбайт, Z2RAM пропонує близько 320 Мбайт у тому ж просторі. ### Коли з'являться серійні чипи Z2RAM? Працездатні чипи компанія планує отримати протягом чотирьох років, а масові постачання серійних примірників — налагодити протягом найближчих десяти років. Зараз прототипи перебувають лише в лабораторіях. ### Які у Z2RAM основні ризики? Відсутність стандартного інтерфейсу та низька стабільність властивостей виробів з оксидних напівпровідників, яка ускладнює масштабування виробництва.