---
title: "Samsung представила 8LPU+: 8-нм техпроцес без EUV отримає +12% до продуктивності та −15% до енергоспоживання"
description: "Samsung анонсувала вдосконалений 8-нм техпроцес 8LPU+ на базі DUV-літографії: за витоками, +12% до продуктивності та −15% до енергоспоживання. Платформа націлена на автомобільні MCU, промислову робототехніку та периферійний ШІ."
date: 2026-10-28T18:40:49.765Z
lang: uk
url: https://xab.info/uk/posts/samsung-predstavila-8lpu-plus-8nm-duv
tags: [samsung, semiconductor, 8nm, duv-lithography, finfet, automotive-mcu, chip-fabrication]
author: "Олександр Буран"
publisher: "XAB.info"
---

# Samsung представила 8LPU+: 8-нм техпроцес без EUV отримає +12% до продуктивності та −15% до енергоспоживання

![Мікрофотографія кремнієвого кристала напівпровідникового процесора Samsung з видимими транзисторними структурами та маркуванням](https://xab.info/media/2026/10/28/samsung-8lpu-8-nm-techprocess-duv/samsung-8lpu-8-nm-techprocess-duv-1.webp)

## Ключові тези

- Samsung представила покращену версію 8-нм техпроцесу 8LPU+, що не потребує EUV-сканерів
- За даними витоків, 8LPU+ забезпечує +12% до продуктивності, −15% до енергоспоживання та −8% до площі логіки
- Платформа використовує DUV-імерсійну літографію та орієнтована на автомобільні MCU, ZCU, промислових роботів і периферійний ШІ
- У 8LPU+ інтегровано 3,3-вольтові планарні I/O, ULL-SRAM, транзистори cHVT та пам'ять eMRAM

Компанія Samsung, яка останніми роками освоїла техпроцеси з нормами аж до 2 нм, не відмовляється від свого останнього 8-нм вузла, що не потребує дорогих EUV-сканерів. Базовий варіант — 8LPU — був представлений ще у 2017 році й відтоді залишається затребуваним на ринку. Днями південнокорейський виробник анонсував поліпшену версію платформи — 8LPU+, яка, за даними витоків, має забезпечити приріст продуктивності до 12 %, зниження енергоспоживання до 15 % та зменшення площі логічної частини кристала до 8 % порівняно з вихідним 8LPU. Повну презентацію технологічної платформи Samsung планує провести до кінця 2026 року.

### DUV замість EUV: економія на обладнанні

Ключова відмінність 8LPU+ від сучасних 5-, 4- та 2-нм процесів Samsung полягає у використанні глибокої ультрафіолетової літографії DUV з імерсійним методом експонування для формування критичних шарів. Це дозволяє компанії обходитися без придбання надзвичайно дорогих EUV-сканерів, що суттєво знижує капітальні витрати на виробництво. Багаторічний досвід випуску 8-нм мікросхем дає Samsung досить точне уявлення про вихід придатних кристалів і собівартість, що спрощує фінансове планування та ціноутворення для замовників.

### Цільовий сегмент: надійність і собівартість важливіші за топову швидкість

Нова платформа орієнтована насамперед на клієнтів, для яких пріоритетом є низька собівартість, висока надійність і тривала доступність компонентів, а не максимальна продуктивність. Серед передбачуваних галузей застосування 8LPU+ називають автомобільні мікроконтролери (MCU), зональні контролери автомобілів (ZCU), промислові роботи та периферійні системи штучного інтелекту. Саме у цих сегментах вимоги до екстремально малих норм літографії поступаються місцем вимогам до стабільності, температурної стійкості та термінів підтримки.

### Технічні особливості: eMRAM, ULL-SRAM та 3,3-вольтові I/O

У 8LPU+ передбачена інтеграція планарних пристроїв введення-виведення на 3,3 В безпосередньо у FinFET-процес, що дозволяє скоротити площу відповідних кіл приблизно на 10 %. Для зниження енергоспоживання в режимі очікування застосовуються надмалоспоживча SRAM (ULL-SRAM) та транзистори з високою пороговою напругою (cHVT). Окремої уваги заслуговує вбудована магніторезистивна пам'ять eMRAM, яка традиційно затребувана в автомобільній електроніці завдяки малій чутливості до температури навколишнього середовища та великій кількості циклів перезапису.

### Кристал Exynos 9820 як референс

На ілюстрації, опублікованій виданням ChipRebel, показано фрагмент кристала чипа Exynos 9820, випущеного Samsung Foundry з використанням 8-нм техпроцесу. На знімку добре видно характерні ряди транзисторних структур, тестові майданчики та маркувальні елементи, включаючи серійний код «S5 E98 20A01». Цей кристал наочно демонструє щільність та архітектуру логічних блоків, які у версії 8LPU+ будуть оптимізовані для зниження площі та енерговитрат.

### Застереження щодо цифр

Слід зазначити, що конкретні показники — 12 % до продуктивності, 15 % до енергоспоживання та 8 % до площі — надійшли з витоків і поки що не підтверджені Samsung в офіційному пресрелізі. Крім того, в індустрії під час переходу на новий техпроцес зазвичай покращують один параметр зі збереженням іншого, а одночасний приріст за всіма трьома напрямками трапляється рідше. Остаточні специфікації стануть відомі після офіційної презентації платформи, яка, за наявними даними, запланована на кінець 2026 року.

## Перевірка фактів і джерела

- [Samsung прокачала 8-нм техпроцесс — 8LPU+ даст +12 % к скорости чипов и -15 % к потреблению window-new](https://3dnews.ru/1150472/samsung-prokachala-8nm-tehprotsess-8lpu-dast-12-k-skorosti-chipov-i-15-k-potrebleniyu) - Першоджерело. Факт анонсу 8LPU+ підтверджено; конкретні метрики (12/15/8 %) вказані як дані витоків. Зображення кристала Exynos 9820 — ChipRebel.

## Часті запитання

### Чим 8LPU+ відрізняється від базового 8LPU?

За даними витоків, 8LPU+ забезпечує приріст продуктивності до 12 %, зниження енергоспоживання до 15 % і зменшення площі логічної частини до 8 % порівняно з 8LPU. Також у нову версію інтегровано 3,3-вольтові планарні I/O, ULL-SRAM, транзистори cHVT та пам'ять eMRAM.

### Чому Samsung не використовує EUV для 8LPU+?

8LPU+ розрахований на DUV-імерсійну літографію, що дозволяє уникнути витрат на придбання надзвичайно дорогих EUV-сканерів. Це робить процес економічно вигідним для клієнтів, яким важливіші собівартість і надійність, а не максимальна продуктивність.

### Для яких застосувань призначена платформа 8LPU+?

Серед цільових галузей — автомобільні мікроконтролери (MCU), зональні контролери (ZCU), промислові роботи та периферійні системи штучного інтелекту.

### Коли Samsung офіційно представить 8LPU+?

За даними південнокорейських джерел, повну презентацію технологічної платформи заплановано на кінець 2026 року.