Прорив TSMC та тайванських вчених: як атомний інтерфейс рятує 2D-транзистори від деградації
🚀 TSMC та тайванські вчені здійснили прорив у 2D-електроніці! Розроблено новий метод створення транзисторів на основі дисульфіду молібдену (MoS₂).
🔬 Суть проблеми: звичайні ізолятори погано наносяться на 2D-матеріали та знижують їхню продуктивність.
💡 Рішення: створення атомного буфера з оксиду алюмінію між MoS₂ та діелектриком HfO₂.
📉 Результат: товщина діелектрика знижена до 1 нм без втрати рухливості електронів. Це відкриває шлях до чіпів, значно ефективніших за кремнієві аналоги.
#TSMC #MoS2 #Semiconductors #TechNews #2DTransistors
Читати далі →