#Transistors

🚀 TSMC та тайванські вчені здійснили прорив у 2D-електроніці! Розроблено новий метод створення транзисторів на основі дисульфіду молібдену (MoS₂). 🔬 Суть проблеми: звичайні ізолятори погано наносяться на 2D-матеріали та знижують їхню продуктивність. 💡 Рішення: створення атомного буфера з оксиду алюмінію між MoS₂ та діелектриком HfO₂. 📉 Результат: товщина діелектрика знижена до 1 нм без втрати рухливості електронів. Це відкриває шлях до чіпів, значно ефективніших за кремнієві аналоги. #TSMC #MoS2 #Semiconductors #TechNews #2DTransistors

🚀 TSMC та NYCU представили проривну технологію чіпів нового покоління. Інженери розробили метод створення 2D-транзисторів на основі дисульфіду молібдену (MoS₂), який вирішує проблему керування струмом на нанометровому рівні. Ключове рішення — використання ультратонкого шару оксиду алюмінію (0,42 нм) для ідеального покриття. Це може стати основою для процесорів з рекордною щільністю та енергоефективністю у найближчі роки. #TSMC #Semiconductors #MoS2 #TechNews