Samsung, das in den letzten Jahren Fertigungsverfahren bis hinunter zu 2 nm gemeistert hat, gibt seinen älteren 8-nm-Node nicht auf, der keine teuren EUV-Scanner erfordert. Die Basisvariante — 8LPU — wurde bereits 2017 vorgestellt und erfreut sich seither großer Marktnachfrage. Kürzlich kündigte der südkoreanische Hersteller eine verbesserte Version der Plattform an: 8LPU+. Leaks zufolge soll diese im Vergleich zum ursprünglichen 8LPU eine Leistungssteigerung von bis zu 12 %, eine Senkung des Energieverbrauchs um bis zu 15 % und eine Verringerung der Logik-Die-Fläche um bis zu 8 % ermöglichen. Samsung beabsichtigt, die Technologieplattform bis Ende 2026 offiziell vorzustellen.

DUV statt EUV: Einsparungen bei der Ausrüstung

Der Hauptunterschied zwischen 8LPU+ und den modernen 5-, 4- und 2-nm-Prozessen von Samsung liegt in der Nutzung der Deep-Ultraviolet-Immersionslithografie (DUV) zur Strukturierung kritischer Schichten. Dies ermöglicht es dem Unternehmen, auf die Anschaffung extrem teurer EUV-Scanner zu verzichten, was die Investitionskosten für die Produktion erheblich senkt. Die langjährige Erfahrung in der Produktion von 8-nm-Chips verschafft Samsung ein sehr präzises Verständnis von Wafer-Ausbeuten und Stückkosten, was die Finanzplanung und Preisgestaltung für Kunden vereinfacht.

Zielsegment: Zuverlässigkeit und Kosten stehen über Spitzengeschwindigkeit

Die neue Plattform richtet sich primär an Kunden, für die niedrige Stückkosten, hohe Zuverlässigkeit und langfristige Komponentenverfügbarkeit oberste Priorität haben und nicht maximale Leistung. Zu den voraussichtlichen Anwendungsbereichen von 8LPU+ gehören Kfz-Mikrocontroller (MCUs), Zonensteuergeräte (ZCUs), Industrieroboter und Edge-KI-Systeme. Genau in diesen Segmenten treten extrem kleine Lithografieanforderungen hinter Stabilität, Temperaturwechselbeständigkeit und Supportzeitpläne zurück.

Technische Besonderheiten: eMRAM, ULL-SRAM und 3,3-Volt-I/Os

In 8LPU+ ist die Integration planarer Ein-/Ausgabegeräte mit 3,3 V direkt in den FinFET-Prozess vorgesehen, wodurch die Fläche entsprechender Schaltungen um etwa 10 % reduziert wird. Zur Senkung des Standby-Verbrauchs kommen Ultra-Low-Leakage-SRAM (ULL-SRAM) und Transistoren mit hoher Schwellenspannung (cHVT) zum Einsatz. Besondere Aufmerksamkeit verdient der integrierte magnetoresistive Speicher (eMRAM), der in der Fahrzeugelektronik traditionell aufgrund seiner geringen Empfindlichkeit gegenüber Umgebungstemperaturen und seiner hohen Schreibzyklenfestigkeit gefragt ist.

Exynos-9820-Die als Referenz

Die von ChipRebel veröffentlichte Abbildung zeigt einen Ausschnitt des Exynos-9820-Chips, der von Samsung Foundry im 8-nm-Verfahren hergestellt wurde. Auf dem Foto sind deutlich charakteristische Reihen von Transistorstrukturen, Testpads und Kennzeichnungselemente zu erkennen, einschließlich des Seriencodes „S5 E98 20A01“. Dieser Die veranschaulicht die Dichte und Architektur der Logikblöcke, die in der Version 8LPU+ zur Reduzierung von Fläche und Energiekosten optimiert werden.

Vorbehalte zu den Zahlen

Es ist anzumerken, dass die konkreten Kennzahlen — 12 % mehr Leistung, 15 % weniger Energieverbrauch und 8 % weniger Fläche — aus Leaks stammen und von Samsung in einer offiziellen Pressemitteilung noch nicht bestätigt wurden. Zudem verbessert die Industrie beim Übergang zu einem neuen Prozess in der Regel einen Parameter, während ein anderer erhalten bleibt; gleichzeitige Zuwächse in allen drei Bereichen sind seltener. Die endgültigen Spezifikationen werden nach der offiziellen Präsentation der Plattform bekannt gegeben, die nach vorliegenden Informationen für Ende 2026 geplant ist.