Компанія Samsung Electronics остаточно затвердила архітектуру та виробничі параметри нового заводу Fab 2 у місті Тейлор, штат Техас. Як повідомляє видання 3DNews із посиланням на галузеві джерела, останню крапку в планах поставили два ключові замовники майбутньої продукції — AMD та Nvidia. Завод буде спеціалізований на випуску базових кристалів (base logic) для пам'яті HBM4 — логічних мікросхем, які формують основу стеків високопродуктивної пам'яті, що використовується в прискорювачах штучного інтелекту та системах обробки великих даних. Samsung на офіційному рівні не розкриває імена клієнтів і пропорції розподілу обсягів, однак за даними неофіційних джерел, значна частина продукції відвантажуватиметься саме AMD.
Масштаб і технічні параметри Fab 2
За габаритами новий завод перевищить уже чинний Fab 1 у тому ж Тейлорі приблизно в півтора раза, зайнявши близько 250 тисяч квадратних метрів виробничих площ. Fab 2 буде оснащений обладнанням для виробництва мікросхем за техпроцесом класу 2 нанометри. Хронологія проєкту має такий вигляд: початок основних будівельних робіт намічено на листопад 2026 року, встановлення виробничого обладнання заплановано на лютий 2029 року, а вихід на масове виробництво очікується у 2030 році. Для порівняння: сусідній Fab 1, уже готовий до повноцінної роботи, у вересні–жовтні 2026 року приступив до пробного випуску 2-нм чипів на замовлення Tesla, Broadcom і Arm, а його масове виробництво має стартувати у 2027 році з потужністю до 50 тисяч пластин на місяць.
Базова логіка HBM4: чому четверте покоління змінює правила
Базові кристали HBM — це логічні мікросхеми, розташовані під вертикальною стопкою DRAM-кристалів. Вони забезпечують керування пам'яттю, обмін даними з графічним процесором та взаємодію з обчислювальною логікою прискорювача. Однак починаючи з четвертого покоління архітектура HBM зазнала суттєвих змін: якщо раніше базові кристали переважно виконували функції керування пам'яттю, то тепер у них інтегрується складніша логічна частина, яку можна адаптувати під конкретні прискорювачі. Майбутні базові кристали для HBM4 будуть значно складнішими за аналоги перших поколінь і отримають спеціалізовані блоки, оптимізовані під вимоги тих чи інших графічних процесорів. Samsung уже використовує для збірок HBM4 базові кристали, виготовлені за 4-нм техпроцесом, у поєднанні з DRAM-кристалами покоління 1c. За даними компанії, HBM4 забезпечує швидкість передачі даних 11,7 Гбіт/с на контакт із можливістю підвищення до 13 Гбіт/с, а пропускна здатність одного стека досягає 3,3 Тбайт/с.
Відкрите питання: NVHBM від Nvidia та позиція Samsung
Невизначеність зберігається в частині обслуговування замовлень Nvidia. Компанія просуває власну технологію NVHBM, згідно з якою частина контролера пам'яті переноситься з головного обчислювального кристала прискорювача безпосередньо в базовий кристал збірки HBM. За опублікованими Nvidia технічними даними, NVHBM забезпечить до 30 % приросту пропускної здатності порівняно зі стандартною HBM4E, знизить енергоспоживання пам'яті на 15 % і дозволить вивільнити до 25 % площі обчислювального кристала. Випуск відповідних контролерів уже висловила готовність здійснювати TSMC, тоді як Samsung поки не окреслила свою позицію щодо цього напряму. Пам'ять для стеків HBM4 Samsung продовжить випускати на своїх заводах у Південній Кореї, а фінальне складання, ймовірно, також зможе здійснюватися на території США.
Стратегічне зрушення: від виробника пам'яті до постачальника рішень «під ключ»
Свіжі фінансові звіти Samsung фіксують зростання продажів базових кристалів HBM і поліпшення показників контрактного підрозділу — фактор, який, за оцінками аналітиків, також вплинув на рішення заточити Fab 2 під одну вузьку продукцію. Галузеві оглядачі вказують на можливість розширення ланцюжка постачань завдяки Broadcom, що випускає прискорювачі ШІ для Google, OpenAI та Anthropic. У сукупності Fab 2 у Техасі є елементом довгострокової стратегії Samsung — трансформації з традиційного виробника пам'яті в компанію, що пропонує комплексні рішення «під ключ», які поєднують контрактне виробництво напівпровідників і фінальне пакування. Водночас експерти нагадують, що до 2030 року американська напівпровідникова галузь, за прогнозами McKinsey і SEMI Foundation, зіткнеться з дефіцитом приблизно 157 000 кваліфікованих працівників, що може стати фактором ризику для строків введення нових потужностей в експлуатацію.
