Американські санкції змушують китайського виробника пам'яті CXMT шукати нестандартні технологічні шляхи для зміцнення своїх позицій на ринку. Обмеження на постачання літографічного обладнання позбавляють компанію можливості використовувати традиційні та простіші методи збільшення щільності розміщення комірок DRAM, змушуючи її здійснювати випереджальний перехід на складну архітектуру 4F2. В умовах жорсткого санкційного тиску китайський гігант має намір уже до кінця поточного року налагодити випуск сучасної пам'яті стандарту DDR5 у виконанні RDIMM з використанням передових комірок.

Вимушена технологічна гонка

За заявами президента CXMT Цао Каньюя, компанія розраховує першою впровадити архітектуру 4F2, обігнавши визнаних світових лідерів галузі з Південної Кореї та США. Перехід від класичних схем 6F2 до комірок класу 4F2 дозволяє кардинально збільшити щільність розміщення елементів на кремнієвій пластині та підняти загальний об'єм інформації, що зберігається. Проте провідні експерти сходяться на думці, що це прискорення має вимушений характер через неможливість застосовувати екстенсивні методи через американські заборони.

Експертні оцінки та технічні бар'єри

Старший аналітик Nomura Чан Вонь Чун наголошує, що корейські конкуренти мають цілий арсенал відносно легких методів збільшення щільності пам'яті і вдадуться до радикальних змін лише після їх повного вичерпання. Водночас представники південнокорейської напівпровідникової індустрії вказують на серйозні супутні виклики: впровадження архітектури 4F2 та перехід до тривимірних структур неминуче породжують проблему ефективного відведення тепла. Перед CXMT постає складне завдання не лише подолати технологічний бар'єр проєктування, а й забезпечити стабільне масове виробництво з урахуванням теплових навантажень.

Стратегія південнокорейських гігантів

На відміну від китайського конкурента, компанії Samsung Electronics і SK hynix діють більш розмірено, оскільки вони не обмежені в придбанні передового обладнання, включаючи новітні установки ASML з високою числовою апертурою (High-NA EUV). SK hynix заявила про роботи в напрямку 4F2 ще минулого року, тоді як Samsung підходить до питання комплексно, плануючи поєднувати комірки 4F2 з вертикальною орієнтацією каналу транзисторів. Таким чином, південнокорейські виробники роблять ставку на еволюційний та глибоко прорахований розвиток інфраструктури, уникаючи передчасних ризиків.