Китайський виробник пам'яті ChangXin Memory Technologies (CXMT) має намір у найближчі два місяці розпочати дрібносерійне виробництво HBM3E — передового типу високошвидкісної пам'яті, яка використовується в зв'язці з процесорами для штучного інтелекту. Про це повідомляє Reuters із посиланням на галузеві джерела. Компанія вже надіслала зразки чипів кільком місцевим розробникам ШІ-прискорювачів, що робить запуск одним із найпомітніших кроків Китаю в сегменті, який досі фактично контролювався трьома гравцями — SK hynix, Samsung і Micron.

Дефіцит пам'яті та санкційний фон

Рішення CXMT безпосередньо пов'язане з гострим дефіцитом пам'яті для ШІ в Китаї. Ці чипи є критично важливими для реалізації національної програми створення аналогів ШІ-прискорювачів Nvidia, постачання передових моделей яких до КНР Вашингтон обмежує. У грудні 2024 року США посилили експортний контроль щодо окремих видів HBM, після чого китайські виробники все частіше намагаються купувати таку пам'ять через неофіційні канали, де її вартість може бути в кілька разів вищою за ринкову. За цих умов власне, нехай і недосконале, виробництво стає стратегічною необхідністю.

Економіка низького виходу придатних

Ключова проблема запуску — вкрай низький вихід придатних кристалів: за даними Reuters, він становить близько 20–30%, тоді як у лідера сегмента SK hynix цей показник досягає приблизно 70%. Через такий брак виробництво виявляється дорогим: значну частину продукції доводиться утилізувати або відправляти на доопрацювання. За неофіційною інформацією, CXMT розпочала власну розробку HBM3E ще у 2024 році, а готові чипи будуть дорожчими, ніж у закордонних конкурентів. Тиск на собівартість уже позначився на ринку: Huawei, Cambricon, MetaX і Iluvatar CoreX раніше підвищили ціни на свої ШІ-прискорювачі на 20–50% через зростання витрат на пам'ять, що ускладнило плани щодо нарощування обсягів.

Характеристики та відставання від лідерів

За технічними параметрами HBM3E від CXMT, за оцінками джерел Reuters, ближча до базової HBM3 від SK hynix, ніж до просунутішої HBM3E того ж виробника. Компанія запропонувала клієнтам два варіанти чипів — стандартний та оновлений, у який внесено зміни для підвищення виходу придатних. HBM створюється шляхом вертикального розміщення чипів один над одним, що забезпечує високошвидкісний обмін даними з процесорами і є критичним для навчання та інференсу великих мовних моделей. При цьому в липні Samsung оголосила про розширення продажів HBM і постачання зразків HBM4E ключовим клієнтам, що підкреслює: CXMT відстає від визнаних лідерів щонайменше на одне покоління.

Позиції на ринку та ширший контекст

За підсумками II кварталу на частку SK hynix припали 50% світового виручу від продажів HBM, Samsung — близько 33%, Micron — приблизно 18%. У тому ж кварталі CXMT зайняла 10% світового ринку DRAM і стала четвертим за величиною постачальником традиційних чипів пам'яті. Через американські санкції компанія не може купувати передове виробниче обладнання, що ускладнює скорочення технологічного розриву. Проте CXMT демонструє динаміку: менш ніж через рік після освоєння LPDDR5 вона оголосила про початок масового випуску LPDDR6, випередивши за термінами визнаних лідерів. Запуск HBM3E, навіть за високого браку, закріплює за Китаєм статус учасника гонки в найскладнішому сегменті індустрії пам'яті.