Im August 2026 hat die chinesische Halbleiterindustrie einen weiteren Schritt in Richtung technologischer Souveränität unternommen. Forscher aus der VR China haben erfolgreich eine Laserstrahlungsquelle im Bereich des extremen Ultraviolettlichts (EUV) entwickelt – eine Schlüsselkomponente für Lithografie-Scanner, die für die Herstellung von Chips mit Strukturgrößen unter 7 nm erforderlich sind. Dieser Erfolg wurde durch die Beteiligung von Lin Nian, einem ehemaligen Ingenieur des niederländischen Unternehmens ASML, ermöglicht, der laut der Quelle Newsbit sein Wissen an chinesische Entwickler weitergegeben hat.

Technologischer Durchbruch und seine Grenzen

Die von chinesischen Wissenschaftlern entwickelte EUV-Strahlungsquelle weist einen Energieumwandlungswirkungsgrad von 3,42 % auf. Obwohl dieser Wert für experimentelle Anlagen als akzeptabel gilt, liegt er deutlich unter dem von modernen Serienanlagen, die eine Leistung von etwa 600 Watt erbringen. Zum Vergleich plant ASML, die Leistung seiner Quellen auf 1000 Watt zu erhöhen, was die Produktionskapazität für Chips steigern würde. Der chinesische Prototyp arbeitet derzeit im Bereich von 100–150 Watt, was ihn für die Massenproduktion noch ungeeignet macht.

Die Rolle von Lin Nian und der Technologietransfer

Lin Nian, der in den Niederlanden bei ASML arbeitete, spezialisierte sich auf die Entwicklung von Lasern für EUV-Systeme. Seine Beteiligung am chinesischen Projekt war ein entscheidender Faktor bei der Entwicklung der Strahlungsquelle. Experten betonen jedoch, dass eine Strahlungsquelle allein nicht ausreicht, um einen vollwertigen EUV-Scanner zu bauen. Es werden komplexe Spiegelsysteme, Präzisionsantriebe und spezialisierte Software benötigt, die in China derzeit noch in der Entwicklung sind.

Widersprüchliche Daten

Es gibt Uneinigkeit über die tatsächlichen Fähigkeiten des chinesischen EUV-Systems. Laut Reuters verfügen die Prototypen von Scannern chinesischer Entwicklung noch nicht über eine Optik von ausreichender Qualität, was ihre Funktionsfähigkeit unter industriellen Bedingungen in Frage stellt. Einige Quellen gehen davon aus, dass die Chinesen einen vollwertigen EUV-Scanner frühestens 2028 oder sogar 2030 entwickeln werden. Gleichzeitig sind andere Experten der Meinung, dass die aktuellen Erfolge bereits einen erheblichen Fortschritt belegen und den Markteintritt beschleunigen könnten.

Geopolitischer Kontext und Sanktionen

Die Lieferung von EUV-Ausrüstung nach China wurde bereits 2019 auf Initiative der niederländischen Behörden verboten, wo sich der Hauptsitz von ASML befindet. Später unterstützten auch die US-Behörden diese Initiative, um die technologische Entwicklung der VR China einzuschränken. Infolgedessen muss sich die chinesische Halbleiterindustrie auf eigene Ressourcen verlassen, was die Entwicklung einer eigenen EUV-Strahlungsquelle zu einem strategisch wichtigen Erfolg macht.

Ausblick und Herausforderungen

Trotz der Erfolge stehen der chinesischen Industrie noch viele Herausforderungen bevor. Die Entwicklung eines vollwertigen EUV-Scanners erfordert nicht nur eine leistungsstarke Strahlungsquelle, sondern auch hochpräzise Optik, Präzisionsantriebe und komplexe Software. Darüber hinaus muss die Stabilität und Zuverlässigkeit des Systems unter Bedingungen der Massenproduktion gewährleistet sein. Experten sind der Ansicht, dass China diese Ziele in den nächsten 2–4 Jahren erreichen könnte, der Wettbewerb mit westlichen Herstellern wird jedoch weiterhin hart bleiben.