Компанія Samsung, яка останніми роками освоїла техпроцеси з нормами аж до 2 нм, не відмовляється від свого останнього 8-нм вузла, що не потребує дорогих EUV-сканерів. Базовий варіант — 8LPU — був представлений ще у 2017 році й відтоді залишається затребуваним на ринку. Днями південнокорейський виробник анонсував поліпшену версію платформи — 8LPU+, яка, за даними витоків, має забезпечити приріст продуктивності до 12 %, зниження енергоспоживання до 15 % та зменшення площі логічної частини кристала до 8 % порівняно з вихідним 8LPU. Повну презентацію технологічної платформи Samsung планує провести до кінця 2026 року.

DUV замість EUV: економія на обладнанні

Ключова відмінність 8LPU+ від сучасних 5-, 4- та 2-нм процесів Samsung полягає у використанні глибокої ультрафіолетової літографії DUV з імерсійним методом експонування для формування критичних шарів. Це дозволяє компанії обходитися без придбання надзвичайно дорогих EUV-сканерів, що суттєво знижує капітальні витрати на виробництво. Багаторічний досвід випуску 8-нм мікросхем дає Samsung досить точне уявлення про вихід придатних кристалів і собівартість, що спрощує фінансове планування та ціноутворення для замовників.

Цільовий сегмент: надійність і собівартість важливіші за топову швидкість

Нова платформа орієнтована насамперед на клієнтів, для яких пріоритетом є низька собівартість, висока надійність і тривала доступність компонентів, а не максимальна продуктивність. Серед передбачуваних галузей застосування 8LPU+ називають автомобільні мікроконтролери (MCU), зональні контролери автомобілів (ZCU), промислові роботи та периферійні системи штучного інтелекту. Саме у цих сегментах вимоги до екстремально малих норм літографії поступаються місцем вимогам до стабільності, температурної стійкості та термінів підтримки.

Технічні особливості: eMRAM, ULL-SRAM та 3,3-вольтові I/O

У 8LPU+ передбачена інтеграція планарних пристроїв введення-виведення на 3,3 В безпосередньо у FinFET-процес, що дозволяє скоротити площу відповідних кіл приблизно на 10 %. Для зниження енергоспоживання в режимі очікування застосовуються надмалоспоживча SRAM (ULL-SRAM) та транзистори з високою пороговою напругою (cHVT). Окремої уваги заслуговує вбудована магніторезистивна пам'ять eMRAM, яка традиційно затребувана в автомобільній електроніці завдяки малій чутливості до температури навколишнього середовища та великій кількості циклів перезапису.

Кристал Exynos 9820 як референс

На ілюстрації, опублікованій виданням ChipRebel, показано фрагмент кристала чипа Exynos 9820, випущеного Samsung Foundry з використанням 8-нм техпроцесу. На знімку добре видно характерні ряди транзисторних структур, тестові майданчики та маркувальні елементи, включаючи серійний код «S5 E98 20A01». Цей кристал наочно демонструє щільність та архітектуру логічних блоків, які у версії 8LPU+ будуть оптимізовані для зниження площі та енерговитрат.

Застереження щодо цифр

Слід зазначити, що конкретні показники — 12 % до продуктивності, 15 % до енергоспоживання та 8 % до площі — надійшли з витоків і поки що не підтверджені Samsung в офіційному пресрелізі. Крім того, в індустрії під час переходу на новий техпроцес зазвичай покращують один параметр зі збереженням іншого, а одночасний приріст за всіма трьома напрямками трапляється рідше. Остаточні специфікації стануть відомі після офіційної презентації платформи, яка, за наявними даними, запланована на кінець 2026 року.