Немецкая Infineon Technologies объявила о значимом технологическом достижении в области силовых полупроводников: компания успешно изготовила работающие чипы из карбида кремния (SiC) на кремниевых пластинах диаметром 300 мм. Испытания были проведены на заводе в австрийском Филлахе с использованием оборудования, которое уже применяется для выпуска стандартных кремниевых микросхем. По заявлению Infineon, это первая подобная демонстрация в условиях полноценного промышленного производства, а не лабораторного стенда. Переход на более крупные пластины позволит получать с одной заготовки в 2,3 раза больше чипов по сравнению с действующим форматом 200 мм, что напрямую влияет на себестоимость каждого кристалла.
Совместимость с существующим оборудованием — ключевой фактор
Особое значение имеет то, что Infineon не потребовало закупки нового специализированного парка станков для работы с 300-миллиметровыми пластинами из карбида кремния. Использование уже имеющегося производственного оборудования, отточенного за годы выпуска кремниевых чипов, существенно снижает барьер входа в новый формат и упрощает масштабирование выпуска. Это означает, что компания может наращивать мощности без капитальных затрат на уровне, характерного для перехода на принципиально новые технологические узлы.
Технология Cold Split проверена в Дрездене
Параллельно с испытаниями в Филлахе Infineon протестировала технологию Cold Split на 300-миллиметровых пластинах из карбида кремния на своём предприятии в Дрездене. Cold Split позволяет отделять тонкие пластины от исходного кристалла быстрее и с меньшими потерями материала по сравнению с традиционной механической резкой. В сочетании с совместимостью с существующим оборудованием это открывает путь к дальнейшему снижению затрат и упрощению процесса масштабирования. Компания заявила, что намерена продолжить разработку технологии и обсудить с партнёрами сроки её внедрения в серийное производство, при этом не отказываясь от развития действующей линии пластин формата 200 мм.
Рынок применения: от электромобилей до дата-центров ИИ
Силовые компоненты на основе карбида кремния востребованы в электромобилях, зарядных станциях, системах накопления энергии и промышленном оборудовании. Они позволяют эффективнее преобразовывать электричество, выдерживают высокие напряжения и температуры, что критично для силовой электроники нового поколения. Ещё одно перспективное направление, на которое указывает Infineon, — дата-центры для искусственного интеллекта, где такие чипы могут использоваться в источниках питания, твердотельных трансформаторах и автоматических выключателях. Рост энергопотребления ИИ-инфраструктуры делает этот сегмент одним из наиболее динамичных для SiC-компонентов.
Контекст и перспективы
Демонстрация Infineon в ноябре 2026 года подчёркивает общий тренд полупроводниковой отрасли на переход к более крупным пластинам для широкого спектра материалов, включая карбид кремния и нитрид галлия. Увеличение диаметра заготовки с 200 до 300 мм — стандартный шаг для кремниевой отрасли, однако для SiC, где кристаллизация и обработка материала существенно сложнее, этот переход требует отдельной инженерной работы. Успешное прохождение промышленного теста на существующем оборудовании ставит Infineon в выгодное положение относительно конкурентов, которые могут требовать более длительных циклов адаптации производственных линий.
