В августе 2026 года китайская полупроводниковая отрасль сделала ещё один шаг к технологическому суверенитету. Исследователи из КНР успешно создали источник лазерного излучения в сверхжёстком ультрафиолетовом диапазоне (EUV) — ключевой компонент для литографических сканеров, необходимых для производства чипов с нормами менее 7 нм. Это достижение стало возможным благодаря участию Линя Наня, бывшего инженера голландской компании ASML, который, по данным источника Newsbit, передал свои знания китайским разработчикам.

Технологический прорыв и его ограничения

Созданный китайскими учёными источник EUV-излучения демонстрирует эффективность преобразования энергии в полезное излучение на уровне 3,42 %. Хотя этот показатель считается приемлемым для экспериментальных установок, он значительно уступает современным серийным системам, которые выдают около 600 Вт мощности. Для сравнения, ASML планирует поднять мощность своих источников до 1000 Вт, что позволит увеличить производительность выпуска чипов. Китайский прототип пока работает в диапазоне 100–150 Вт, что делает его непригодным для массового производства.

Роль Линя Наня и передача технологий

Линь Нань, работавший в ASML в Нидерландах, специализировался на разработке лазеров для EUV-систем. Его участие в китайском проекте стало решающим фактором в создании источника излучения. Однако, как отмечают эксперты, одного лишь источника недостаточно для создания полноценного EUV-сканера. Необходимы сложные системы зеркал, прецизионные приводы и специализированное программное обеспечение, которые пока находятся на стадии разработки в Китае.

Противоречивые данные

Существуют разногласия относительно реальных возможностей китайской EUV-системы. По данным Reuters, прототипы сканеров китайской разработки пока не обладают достаточно качественной оптикой, что ставит под сомнение их работоспособность в промышленных условиях. Некоторые источники предполагают, что полноценный EUV-сканер китайцы смогут создать не ранее 2028 или даже 2030 года. В то же время, другие эксперты считают, что текущие достижения уже свидетельствуют о серьёзном прогрессе и могут ускорить сроки выхода на рынок.

Геополитический контекст и санкции

Поставки EUV-оборудования в Китай были запрещены ещё в 2019 году по инициативе властей Нидерландов, где расположена штаб-квартира ASML. Позже эту инициативу поддержали и американские власти, стремясь ограничить технологическое развитие КНР. В результате китайская полупроводниковая промышленность вынуждена полагаться на собственные силы, что делает создание собственного источника EUV-излучения стратегически важным достижением.

Перспективы и вызовы

Несмотря на успехи, китайской индустрии предстоит преодолеть множество вызовов. Создание полноценного EUV-сканера требует не только мощного источника излучения, но и высокоточной оптики, прецизионных приводов и сложного программного обеспечения. Кроме того, необходимо обеспечить стабильность и надёжность работы системы в условиях массового производства. Эксперты считают, что Китай сможет достичь этих целей в ближайшие 2–4 года, но конкуренция с западными производителями останется острой.