Компания Samsung Electronics окончательно утвердила архитектуру и производственные параметры нового завода Fab 2 в городе Тейлор, штат Техас. Как сообщает издание 3DNews со ссылкой на отраслевые источники, последнюю точку в планах поставили два ключевых заказчика будущей продукции — AMD и Nvidia. Завод будет специализирован на выпуске базовых кристаллов (base logic) для памяти HBM4 — логических микросхем, которые формируют основу стеков высокопроизводительной памяти, используемой в ускорителях искусственного интеллекта и системах обработки больших данных. Samsung на официальном уровне не раскрывает имена клиентов и пропорции распределения объёмов, однако по данным неофициальных источников, значительная часть продукции будет отгружаться именно AMD.
Масштаб и технические параметры Fab 2
По габаритам новый завод превысит уже действующий Fab 1 в том же Тейлоре примерно в полтора раза, заняв порядка 250 тысяч квадратных метров производственных площадей. Fab 2 будет оснащён оборудованием для производства микросхем по техпроцессу класса 2 нанометра. Хронология проекта выглядит следующим образом: начало основных строительных работ намечено на ноябрь 2026 года, установка производственного оборудования запланирована на февраль 2029 года, а выход на массовое производство ожидается в 2030 году. Для сравнения: соседний Fab 1, уже готовый к полноценной работе, в сентябре–октябре 2026 года приступил к пробному выпуску 2-нм чипов по заказам Tesla, Broadcom и Arm, а его массовое производство должно стартовать в 2027 году с мощностью до 50 тысяч пластин в месяц.
Базовая логика HBM4: почему четвёртое поколение меняет правила
Базовые кристаллы HBM — это логические микросхемы, расположенные под вертикальной стопкой DRAM-кристаллов. Они обеспечивают управление памятью, обмен данными с графическим процессором и взаимодействие с вычислительной логикой ускорителя. Однако начиная с четвёртого поколения архитектура HBM претерпела существенные изменения: если ранее базовые кристаллы преимущественно выполняли функции управления памятью, то теперь в них интегрируется более сложная логическая часть, которую можно адаптировать под конкретные ускорители. Будущие базовые кристаллы для HBM4 будут значительно сложнее аналогов первых поколений и получат специализированные блоки, оптимизированные под требования тех или иных графических процессоров. Samsung уже использует для сборок HBM4 базовые кристаллы, изготовленные по 4-нм техпроцессу, в сочетании с DRAM-кристаллами поколения 1c. По данным компании, HBM4 обеспечивает скорость передачи данных 11,7 Гбит/с на контакт с возможностью повышения до 13 Гбит/с, а пропускная способность одного стека достигает 3,3 Тбайт/с.
Открытый вопрос: NVHBM от Nvidia и позиция Samsung
Неопределённость сохраняется в части обслуживания заказов Nvidia. Компания продвигает собственную технологию NVHBM, согласно которой часть контроллера памяти переносится из главного вычислительного кристалла ускорителя непосредственно в базовый кристалл сборки HBM. По опубликованным Nvidia техническим данным, NVHBM обеспечит до 30 % прироста пропускной способности по сравнению со стандартной HBM4E, снизит энергопотребление памяти на 15 % и позволит высвободить до 25 % площади вычислительного кристалла. Выпуск соответствующих контроллеров уже выразила готовность осуществлять TSMC, тогда как Samsung пока не обозначила свою позицию по данному направлению. Память для стеков HBM4 Samsung продолжит выпускать на своих заводах в Южной Корее, а финальная сборка, вероятно, также сможет осуществляться на территории США.
Стратегический сдвиг: от производителя памяти к поставщику решений «под ключ»
Свежие финансовые отчёты Samsung фиксируют рост продаж базовых кристаллов HBM и улучшение показателей контрактного подразделения — фактор, который, по оценкам аналитиков, также повлиял на решение заточить Fab 2 под одну узкую продукцию. Отраслевые обозреватели указывают на возможность расширения цепочки поставок за счёт Broadcom, выпускающей ускорители ИИ для Google, OpenAI и Anthropic. В совокупности Fab 2 в Техасе представляет собой элемент долгосрочной стратегии Samsung — трансформации из традиционного производителя памяти в компанию, предлагающую комплексные решения «под ключ», объединяющие контрактное производство полупроводников и финальную упаковку. При этом эксперты напоминают, что к 2030 году американская полупроводниковая отрасль, по прогнозам McKinsey и SEMI Foundation, столкнётся с дефицитом порядка 157 000 квалифицированных работников, что может стать фактором риска для сроков ввода новых мощностей в эксплуатацию.
