Генеральний директор Intel Ліп-Бу Тан в інтерв'ю японському виданню Nikkei Asia висловив думку, що Китай у сфері виробництва мікросхем вже не так сильно відстає від США, як це вважалося раніше. Заява пролунала на тлі триваючої дії американських санкцій, які обмежують доступ китайських компаній до передових установок EUV-літографії — ключової технології для виготовлення чипів за нормами 7 нм і нижче. Відповідаючи на пряме запитання про те, чи здатний Китай наздогнати США в найближчі п'ять-десять років, Тан обмежився лаконічним формулюванням: «Сьогодні, я думаю, він не настільки вже далеко позаду».

Санкційний контекст та оцінка розриву

Заява голови Intel набуває особливої ваги з огляду на те, що Вашингтон протягом кількох років послідовно посилює експортні обмеження на постачання китайським виробникам обладнання для літографії, включаючи системи екстремального ультрафіолетового випромінювання (EUV) нідерландської ASML. Проте Тан підкреслив, що компанії з різних країн мають власні сильні та слабкі сторони, а підсумковий успіх визначається тим, наскільки добре їхні продукти відповідають реальним потребам клієнтів. Таким чином, він не став робити однозначного прогнозу щодо термінів «наздоганяючого» сценарію, але й не применшив поточний рівень китайських розробок.

Прогрес китайських розробок в EUV

На тлі слів Тана увагу аналітиків привернув нещодавній анонс китайської компанії, відомої як Landau, яка представила прототип джерела екстремального ультрафіолетового випромінювання для EUV-літографії. За заявленими даними розробника, пристрій здатний безперервно працювати до 100 годин за вихідної потужності 15 Вт. Для наглядного порівняння: ранні промислові установки ASML, виведені на ринок на початку 2020-х років, використовували джерела потужністю близько 150 Вт, а наступні покоління обладнання дозволили довести цей показник до 250 Вт. Розрив у потужності залишається суттєвим, проте сам факт демонстрації працюючого прототипу з тривалим режимом експлуатації розглядається як індикатор накопиченого інженерного досвіду.

Інженерні виклики, які не зводяться до ватів

Важливо розуміти, що в EUV-системах потужність джерела — лише один із параметрів. Технологія вимагає багаторазово впливати лазером на краплі розплавленого олова щосекунди, генеруючи при цьому стабільне випромінювання з потрібною довжиною хвилі. Тривала робота без деградації оптичних елементів і підтримки необхідної інтенсивності залишається одним із найскладніших інженерних завдань у мікроелектроніці. Саме тому навіть за наявності прототипу із заявленими 100 годинами роботи до промислового впровадження китайського рішення, як правило, проходить значний період доведення та масштабування.

Плани Intel та конкуренція з TSMC

У тому ж інтерв'ю Тан торкнувся і внутрішнього порядку денного Intel. Гендиректор підтвердив, що компанія має намір розвивати власне контрактне виробництво (foundry), здатне конкурувати з тайванською TSMC — світовим лідером у галузі стороннього виробництва чипів. При цьому він підкреслив, що реалізація цієї стратегії вимагає часу та послідовної роботи, а не разових інвестицій. Раніше, у тому ж циклі інтерв'ю з Nikkei, Тан повідомляв, що реструктуризація Intel, розпочата після його призначення в березні 2025 року, вже завершена приблизно на 80 %, включаючи зміну більшості вищих керівників.

Що це означає для ринку

Сукупність заяв Тана та даних про китайські розробки вказує на те, що технологічний розрив між США та Китаєм у сфері передових чипів, ймовірно, скорочується швидше, ніж припускали західні аналітики ще пару років тому. При цьому жодне з джерел не стверджує, що Китай уже досяг паритету: йдеться про звуження відставання та появу у китайських компаній власних, нехай поки й менш потужних, рішень у критичних для EUV-літографії компонентах. Для глобального ринку напівпровідників це означає, що санкційна політика США буде змушена враховувати не лише поточний розрив, а й темпи його закриття.