Німецька компанія Infineon Technologies оголосила про значне технологічне досягнення у сфері силових напівпровідників: компанія успішно виготовила робочі чипи з карбіду кремнію (SiC) на кремнієвих пластинах діаметром 300 мм. Випробування були проведені на заводі в австрійському Філласі з використанням обладнання, яке вже застосовується для випуску стандартних кремнієвих мікросхем. За заявою Infineon, це перша подібна демонстрація в умовах повноцінного промислового виробництва, а не лабораторного стенду. Перехід на більші пластини дозволить отримувати з однієї заготовки у 2,3 раза більше чипів у порівнянні з діючим форматом 200 мм, що прямо впливає на собівартість кожного кристала.
Сумісність із існуючим обладнанням — ключовий фактор
Особливе значення має те, що Infineon не потребувала закупівлі нового спеціалізованого парку верстатів для роботи з 300-міліметровими пластинами з карбіду кремнію. Використання вже наявного виробничого обладнання, відточеного за роки випуску кремнієвих чипів, суттєво знижує бар'єр входу в новий формат і спрощує масштабування випуску. Це означає, що компанія може нарощувати потужності без капітальних витрат на рівні, характерному для переходу на принципово нові технологічні вузли.
Технологія Cold Split перевірена у Дрездені
Паралельно з випробуваннями у Філласі Infineon протестувала технологію Cold Split на 300-міліметрових пластинах з карбіду кремнію на своєму підприємстві у Дрездені. Cold Split дозволяє відокремлювати тонкі пластини від вихідного кристала швидше і з меншими втратами матеріалу в порівнянні з традиційним механічним різанням. У поєднанні із сумісністю з існуючим обладнанням це відкриває шлях до подальшого зниження витрат та спрощення процесу масштабування. Компанія заявила, що має намір продовжити розробку технології та обговорити з партнерами терміни її впровадження у серійне виробництво, при цьому не відмовляючись від розвитку діючої лінії пластин формату 200 мм.
Ринок застосування: від електромобілів до дата-центрів ШІ
Силові компоненти на основі карбіду кремнію затребувані в електромобілях, зарядних станціях, системах накопичення енергії та промисловому обладнанні. Вони дозволяють ефективніше перетворювати електрику, витримують високі напруги та температури, що критично для силової електроніки нового покоління. Ще один перспективний напрямок, на який вказує Infineon — дата-центри для штучного інтелекту, де такі чипи можуть використовуватися в джерелах живлення, твердотільних трансформаторах та автоматичних вимикачах. Зростання енергоспоживання ШІ-інфраструктури робить цей сегмент одним із найбільш динамічних для SiC-компонентів.
Контекст та перспективи
Демонстрація Infineon у листопаді 2026 року підкреслює загальний тренд напівпровідникової галузі на перехід до більших пластин для широкого спектра матеріалів, включаючи карбід кремнію та нітрид галію. Збільшення діаметра заготовки з 200 до 300 мм — стандартний крок для кремнієвої галузі, проте для SiC, де кристалізація та обробка матеріалу суттєво складніші, цей перехід вимагає окремої інженерної роботи. Успішне проходження промислового тесту на існуючому обладнанні ставить Infineon у вигідне становище відносно конкурентів, яким можуть знадобитися більш тривалі цикли адаптації виробничих ліній.
