У серпні 2026 року китайська напівпровідникова галузь зробила ще один крок до технологічного суверенітету. Дослідники з КНР успішно створили джерело лазерного випромінювання в діапазоні екстремального ультрафіолету (EUV) — ключовий компонент для літографічних сканерів, необхідних для виробництва чіпів з нормами менше 7 нм. Цього досягнення вдалося досягти завдяки участі Ліня Наня, колишнього інженера нідерландської компанії ASML, який, за даними джерела Newsbit, передав свої знання китайським розробникам.
Технологічний прорив та його обмеження
Створене китайськими вченими джерело EUV-випромінювання демонструє ефективність перетворення енергії на корисне випромінювання на рівні 3,42 %. Хоча цей показник вважається прийнятним для експериментальних установок, він значно поступається сучасним серійним системам, які видають близько 600 Вт потужності. Для порівняння, ASML планує підвищити потужність своїх джерел до 1000 Вт, що дозволить збільшити продуктивність випуску чіпів. Китайський прототип поки працює в діапазоні 100–150 Вт, що робить його непридатним для масового виробництва.
Роль Ліня Наня та передача технологій
Лінь Нань, який працював у ASML у Нідерландах, спеціалізувався на розробці лазерів для EUV-систем. Його участь у китайському проекті стала вирішальним фактором у створенні джерела випромінювання. Однак, як зазначають експерти, одного лише джерела недостатньо для створення повноцінного EUV-сканера. Необхідні складні системи дзеркал, прецизійні приводи та спеціалізоване програмне забезпечення, які поки перебувають на стадії розробки в Китаї.
Суперечливі дані
Існують розбіжності щодо реальних можливостей китайської EUV-системи. За даними Reuters, прототипи сканерів китайської розробки поки не мають достатньо якісної оптики, що ставить під сумнів їхню працездатність у промислових умовах. Деякі джерела припускають, що повноцінний EUV-сканер китайці зможуть створити не раніше 2028 або навіть 2030 року. У той же час, інші експерти вважають, що поточні досягнення вже свідчать про серйозний прогрес і можуть прискорити терміни виходу на ринок.
Геополітичний контекст та санкції
Постачання EUV-обладнання до Китаю було заборонено ще у 2019 році за ініціативи влади Нідерландів, де розташована штаб-квартира ASML. Пізніше цю ініціативу підтримали й американські влади, прагнучи обмежити технологічний розвиток КНР. Внаслідок цього китайська напівпровідникова промисловість змушена покладатися на власні сили, що робить створення власного джерела EUV-випромінювання стратегічно важливим досягненням.
Перспективи та виклики
Попри успіхи, китайській індустрії належить подолати безліч викликів. Створення повноцінного EUV-сканера вимагає не лише потужного джерела випромінювання, але й високоточної оптики, прецизійних приводів та складного програмного забезпечення. Крім того, необхідно забезпечити стабільність та надійність роботи системи в умовах масового виробництва. Експерти вважають, що Китай зможе досягти цих цілей у найближчі 2–4 роки, але конкуренція із західними виробниками залишиться гострою.
