Das deutsche Unternehmen Infineon Technologies hat einen bedeutenden technologischen Meilenstein im Bereich der Leistungshalbleiter bekannt gegeben: Dem Unternehmen ist es gelungen, funktionstüchtige Chips aus Siliziumkarbid (SiC) auf 300-mm-Siliziumwafern herzustellen. Die Tests wurden im Werk im österreichischen Villach unter Verwendung von Anlagen durchgeführt, die bereits für die Produktion herkömmlicher Siliziumchips eingesetzt werden. Laut Infineon handelt es sich um die erste derartige Demonstration in einer voll industrialisierten Produktionsumgebung und nicht in einem Laboraufbau. Der Übergang zu größeren Wafern ermöglicht eine Ausbeute von 2,3-mal mehr Chips pro Scheibe im Vergleich zum bestehenden 200-mm-Format, was sich direkt auf die Stückkosten pro Chip auswirkt.

Kompatibilitaet mit bestehenden Anlagen ist ein Schlüsselfaktor

Von entscheidender Bedeutung ist, dass Infineon keinen neuen, spezialisierten Maschinenpark für die Verarbeitung von 300-mm-Siliziumkarbid-Wafern anschaffen musste. Die Nutzung vorhandener Produktionsanlagen, die über Jahre hinweg für die Siliziumchip-Fertigung optimiert wurden, senkt die Eintrittshürde für das neue Format erheblich und vereinfacht die Skalierung der Produktion. Dies bedeutet, dass das Unternehmen Kapazitäten aufbauen kann, ohne die massiven Investitionskosten tätigen zu müssen, die normalerweise beim Übergang zu grundlegend neuen Technologieknoten anfallen.

Cold-Split-Technologie in Dresden getestet

Parallel zu den Tests in Villach validierte Infineon die Cold-Split-Technologie an 300-mm-Siliziumkarbid-Wafern am Standort Dresden. Cold Split ermöglicht es, dünne Wafer schneller und mit geringerem Materialverlust vom Ausgangskristall zu trennen als mit herkömmlichen mechanischen Sägeverfahren. In Kombination mit der Kompatibilität zu bestehenden Anlagen ebnet dies den Weg für weitere Kostensenkungen und eine einfachere Skalierung. Das Unternehmen teilte mit, es wolle die Technologie weiterentwickeln und Zeitpläne für die Einführung in die Serienfertigung mit Partnern diskutieren, während die bestehende 200-mm-Wafer-Linie weiter ausgebaut wird.

Anwendungsmaerkte: Von Elektroautos bis zu KI-Rechenzentren

Leistungskomponenten auf Basis von Siliziumkarbid sind in Elektrofahrzeugen, Ladestationen, Energiespeichersystemen und Industrieanlagen stark gefragt. Sie ermöglichen eine effizientere Stromumwandlung und halten hohen Spannungen und Temperaturen stand, was für die Leistungselektronik der nächsten Generation von entscheidender Bedeutung ist. Ein weiteres vielversprechendes Feld, auf das Infineon hinweist, sind Rechenzentren für Künstliche Intelligenz, wo solche Chips in Netzteilen, Halbleitertransformatoren und Schutzschaltern eingesetzt werden können. Der steigende Energiebedarf der KI-Infrastruktur macht dieses Segment zu einem der dynamischsten für SiC-Komponenten.

Kontext und Ausblick

Die Demonstration von Infineon im November 2026 unterstreicht den allgemeinen Trend in der Halbleiterindustrie hin zu größeren Wafern für eine breite Palette von Materialien, einschließlich Siliziumkarbid und Galliumnitrid. Die Vergrößerung des Durchmessers von 200 auf 300 mm ist ein Standardschritt für die Siliziumindustrie, aber für SiC – wo Kristallisation und Materialverarbeitung wesentlich komplexer sind – erfordert dieser Übergang spezifische Ingenieursarbeit. Das erfolgreiche Bestehen eines industriellen Tests mit vorhandenen Anlagen verschafft Infineon einen Wettbewerbsvorteil gegenüber Konkurrenten, die möglicherweise längere Anpassungszyklen für ihre Produktionslinien benötigen.