CXMT запускает выпуск HBM3E для ИИ при выходе годных всего 20–30%: Китай пытается закрыть дефицит памяти для ускорителей

Китайский производитель памяти ChangXin Memory Technologies (CXMT) намерен в ближайшие два месяца начать мелкосерийное производство HBM3E — передового типа высокоскоростной памяти, которая используется в связке с процессорами для искусственного интеллекта. Об этом сообщает Reuters со ссылкой на отраслевые источники. Компания уже направила образцы чипов нескольким местным разработчикам ИИ-ускорителей, что делает запуск одним из самых заметных шагов Китая в сегменте, который до сих пор фактически контролировался тремя игроками — SK hynix, Samsung и Micron.

Дефицит памяти и санкционный фон

Решение CXMT напрямую связано с острым дефицитом памяти для ИИ в Китае. Эти чипы критически важны для реализации национальной программы создания аналогов ИИ-ускорителей Nvidia, поставки передовых моделей которых в КНР Вашингтон ограничивает. В декабре 2024 года США ужесточили экспортный контроль в отношении отдельных видов HBM, после чего китайские производители всё чаще пытаются приобретать такую память через неофициальные каналы, где её стоимость может быть в несколько раз выше рыночной. В этих условиях собственное, даже несовершенное, производство становится стратегической необходимостью.

Экономика низкого выхода годных

Ключевая проблема запуска — крайне низкий выход годных кристаллов: по данным Reuters, он составляет около 20–30%, тогда как у лидера сегмента SK hynix этот показатель достигает порядка 70%. Из-за такого брака производство оказывается дорогостоящим: значительную часть продукции приходится утилизировать или отправлять на доработку. По неофициальной информации, CXMT начала собственную разработку HBM3E ещё в 2024 году, а готовые чипы будут дороже, чем у зарубежных конкурентов. Давление на себестоимость уже отразилось на рынке: Huawei, Cambricon, MetaX и Iluvatar CoreX ранее повысили цены на свои ИИ-ускорители на 20–50% из-за роста расходов на память, что осложнило планы по наращиванию объёмов.

Характеристики и отставание от лидеров

По техническим параметрам HBM3E от CXMT, по оценкам источников Reuters, ближе к базовой HBM3 от SK hynix, чем к более продвинутой HBM3E того же производителя. Компания предложила клиентам два варианта чипов — стандартный и обновлённый, в который внесены изменения для повышения выхода годных. HBM создаётся путём вертикального размещения чипов друг над другом, что обеспечивает высокоскоростной обмен данными с процессорами и является критичным для обучения и инференса больших языковых моделей. При этом в июле Samsung объявила о расширении продаж HBM и поставках образцов HBM4E ключевым клиентам, что подчёркивает: CXMT отстаёт от признанных лидеров минимум на одно поколение.

Позиции на рынке и более широкий контекст

По итогам II квартала на долю SK hynix пришлись 50% мировой выручки от продаж HBM, Samsung — около 33%, Micron — примерно 18%. В том же квартале CXMT заняла 10% мирового рынка DRAM и стала четвёртым по величине поставщиком традиционных чипов памяти. Из-за американских санкций компания не может приобретать передовое производственное оборудование, что затрудняет сокращение технологического разрыва. Тем не менее CXMT демонстрирует динамику: менее чем через год после освоения LPDDR5 она объявила о начале массового выпуска LPDDR6, опередив по срокам признанных лидеров. Запуск HBM3E, даже при высоком браке, закрепляет за Китаем статус участника гонки в самом сложном сегменте индустрии памяти.