Генеральный директор Intel Лип-Бу Тан в интервью японскому изданию Nikkei Asia выразил мнение, что Китай в сфере производства микросхем уже не так сильно отстаёт от США, как это считалось ранее. Заявление прозвучало на фоне продолжающегося действия американских санкций, которые ограничивают доступ китайских компаний к передовым установкам EUV-литографии — ключевой технологии для изготовления чипов по нормам 7 нм и ниже. Отвечая на прямой вопрос о том, способен ли Китай догнать США в ближайшие пять-десять лет, Тан ограничился лаконичной формулировкой: «Сегодня, я думаю, он не так уж далеко позади».

Санкционный контекст и оценка разрыва

Заявление главы Intel приобретает особый вес с учётом того, что Вашингтон на протяжении нескольких лет последовательно ужесточает экспортные ограничения на поставки китайским производителям оборудования для литографии, включая системы экстремального ультрафиолетового излучения (EUV) голландской ASML. Тем не менее Тан подчеркнул, что у компаний из разных стран существуют собственные сильные и слабые стороны, а итоговый успех определяется тем, насколько хорошо их продукты отвечают реальным потребностям клиентов. Таким образом, он не стал делать однозначного прогноза о сроках «догоняющего» сценария, но и не преуменьшил текущий уровень китайских разработок.

Прогресс китайских разработок в EUV

На фоне слов Тана внимание аналитиков привлёк недавний анонс китайской компании, известной как Landau, которая представила прототип источника экстремального ультрафиолетового излучения для EUV-литографии. По заявленным данным разработчика, устройство способно непрерывно работать до 100 часов при выходной мощности 15 Вт. Для наглядного сравнения: ранние промышленные установки ASML, выведенные на рынок в начале 2020-х годов, использовали источники мощностью порядка 150 Вт, а последующие поколения оборудования позволили довести этот показатель до 250 Вт. Разрыв в мощности остаётся существенным, однако сам факт демонстрации работающего прототипа с длительным режимом эксплуатации рассматривается как индикатор накопленного инженерного опыта.

Инженерные вызовы, которые не сводятся к ваттам

Важно понимать, что в EUV-системах мощность источника — лишь один из параметров. Технология требует многократно воздействовать лазером на капли расплавленного олова каждую секунду, генерируя при этом стабильное излучение с нужной длиной волны. Длительная работа без деградации оптических элементов и поддержания требуемой интенсивности остаётся одной из самых сложных инженерных задач в микроэлектронике. Именно поэтому даже при наличии прототипа с заявленными 100 часами работы до промышленного внедрения китайского решения, как правило, проходит значительный период доводки и масштабирования.

Планы Intel и конкуренция с TSMC

В том же интервью Тан затронул и внутреннюю повестку Intel. Гендиректор подтвердил, что компания намерена развивать собственное контрактное производство (foundry), способное конкурировать с тайваньской TSMC — мировым лидером в области стороннего производства чипов. При этом он подчёркнул, что реализация этой стратегии требует времени и последовательной работы, а не разовых инвестиций. Ранее, в том же цикле интервью с Nikkei, Тан сообщал, что реструктуризация Intel, начатая после его назначения в марте 2025 года, уже завершена примерно на 80 %, включая смену большинства высших руководителей.

Что это значит для рынка

Совокупность заявлений Тана и данных о китайских разработках указывает на то, что технологический разрыв между США и Китаем в сфере передовых чипов, вероятно, сокращается быстрее, чем предполагали западные аналитики ещё пару лет назад. При этом ни один из источников не утверждает, что Китай уже достиг паритета: речь идёт о сужении отставания и появлении у китайских компаний собственных, пусть пока и менее мощных, решений в критических для EUV-литографии компонентах. Для глобального рынка полупроводников это означает, что санкционная политика США будет вынуждена учитывать не только текущий разрыв, но и темпы его закрытия.