Китайська технологічна компанія Langdao Silex вперше публічно продемонструвала прототип власного джерела екстремального ультрафіолетового випромінювання для EUV-літографії. Презентація установки FlintNano LPP-OXXO пройшла на 26-му Китайському міжнародному промисловому ярмарку (China International Industry Fair) у Шанхаї. За заявою представників компанії, близько 90 % компонентів системи вироблені в Китаї, а більшість ключових вузлів розроблена безпосередньо всередині Langdao Silex. Команда, що стоїть за проєктом, включає колишнього співробітника ASML Holding, що підкреслює стратегічну важливість розробки для китайської напівпровідникової галузі.
Технічні характеристики прототипу
Установка FlintNano LPP-OXXO побудована на технології лазерно-індукованої плазми (LPP): потужний лазер впливає на мікроскопічні краплі олова, перетворюючи їх на плазму, яка випромінює світло з довжиною хвилі близько 13,5 нм. Згідно з опублікованими Langdao Silex характеристиками, привідний лазер має потужність 1000 Вт, частота імпульсів становить 1–20 кГц, а ефективність перетворення енергії перевищує 2 %. Заявлена вихідна потужність EUV-випромінювання — понад 15 Вт, яскравість — 100 Вт/(мм²·ср). Компанія також вказує можливість безперервної роботи понад 100 годин, розмір області плазми 60 мкм, стабільність плазми 3 % RMS та стабільність енергії 5 %. Примітно, що низка профільних видань, посилаючись на дані китайських дослідників, наводить коефіцієнт перетворення енергії на рівні близько 3,4 %, що дещо перевищує цифру, озвучену на презентації.
Розрив із промисловими стандартами
Між можливостями прототипу Langdao Silex та вимогами до комерційних EUV-систем зберігається значний розрив. Для промислових літографічних установок необхідні джерела потужністю в кілька сотень ват, здатні стабільно працювати протягом тривалого часу. Для порівняння: ASML досягла потужності EUV-джерела у 250 Вт ще у 2018 році, що дозволило перейти до серійного виробництва чипів з використанням EUV-літографії. У квітні 2025 року нідерландська компанія продемонструвала джерело потужністю 1000 Вт, проте його комерційне впровадження також вимагає подальшої інженерної роботи. Таким чином, 15 Вт, заявлені Langdao Silex, поки залишаються на рівні лабораторного прототипу, а не промислового рішення.
Дорожня карта та ключові виклики
Langdao Silex заявляє, що для серії високопотужних джерел FlintMicro-LPP завершено принципову перевірку технології, а малопотужна серія FlintNano-LPP перебуває на стадії продуктової розробки. Проте до початку повномасштабного комерційного виробництва, за оцінками самої компанії, пройде від трьох до п'яти років. Головні складнощі полягають у збільшенні вихідної потужності та підвищенні стабільності роботи в довгостроковій перспективі. Окрім самого джерела, для створення конкурентоспроможної EUV-системи знадобляться прецизійна оптика, високоточні механізми позиціювання пластин та складна системна інтеграція. Установки ASML складаються із сотень тисяч компонентів, які постачають понад 800 компаній по всьому світу — це екосистема, яку неможливо відтворити у стислі терміни.
Контекст: DUV вже у виробництві, EUV — наступний щабель
Раніше стало відомо, що в Китаї вже налагоджено виробництво менш досконалих літографічних установок, що працюють у глибокому ультрафіолеті (DUV), і їх постачання великим місцевим виробникам чипів очікується у 2026 році. EUV залишається значно складнішим завданням, що вимагає прогресу в цілій низці критично важливих підсистем. Для ASML Китай є важливим ринком: на нього припадає близько 20 % річного виручки нідерландського виробника. При цьому, за оцінками аналітиків, ASML більшою мірою стурбована можливими новими санкційними обмеженнями з боку США, ніж поточним рівнем китайських розробок у галузі EUV-літографії. Проте публічна демонстрація прототипу Langdao Silex стала символічним кроком, що підтверджує, що Китай послідовно скорочує технологічне відставання в одній із найкритичніших для напівпровідникової галузі сфер.
