Китайская технологическая компания Langdao Silex впервые публично продемонстрировала прототип собственного источника экстремального ультрафиолетового излучения для EUV-литографии. Презентация установки FlintNano LPP-OXXO прошла на 26-й Китайской международной промышленной ярмарке (China International Industry Fair) в Шанхае. По заявлению представителей компании, около 90 % компонентов системы произведены в Китае, а большинство ключевых узлов разработано непосредственно внутри Langdao Silex. Команда, стоящая за проектом, включает бывшего сотрудника ASML Holding, что подчёркивает стратегическую важность разработки для китайской полупроводниковой отрасли.
Технические характеристики прототипа
Установка FlintNano LPP-OXXO построена на технологии лазерно-индуцированной плазмы (LPP): мощный лазер воздействует на микроскопические капли олова, превращая их в плазму, которая испускает излучение с длиной волны около 13,5 нм. Согласно опубликованным Langdao Silex характеристикам, приводной лазер имеет мощность 1000 Вт, частота импульсов составляет 1–20 кГц, а эффективность преобразования энергии превышает 2 %. Заявленная выходная мощность EUV-излучения — свыше 15 Вт, яркость — 100 Вт/(мм²·ср). Компания также указывает возможность непрерывной работы более 100 часов, размер области плазмы 60 мкм, стабильность плазмы 3 % RMS и стабильность энергии 5 %. Примечательно, что ряд профильных изданий, ссылаясь на данные китайских исследователей, приводит коэффициент преобразования энергии на уровне около 3,4 %, что несколько превышает цифру, озвученную на презентации.
Разрыв с промышленными стандартами
Между возможностями прототипа Langdao Silex и требованиями, предъявляемыми к коммерческим EUV-системам, сохраняется значительный разрыв. Для промышленных литографических установок необходимы источники мощностью в несколько сотен ватт, способные стабильно работать в течение длительного времени. Для сравнения: ASML достигла мощности EUV-источника в 250 Вт ещё в 2018 году, что позволило перейти к серийному производству чипов с использованием EUV-литографии. В апреле 2025 года нидерландская компания продемонстрировала источник мощностью 1000 Вт, однако его коммерческое внедрение также требует дальнейшей инженерной работы. Таким образом, 15 Вт, заявленные Langdao Silex, пока остаются на уровне лабораторного прототипа, а не промышленного решения.
Дорожная карта и ключевые вызовы
Langdao Silex заявляет, что для серии высокомощных источников FlintMicro-LPP завершена принципиальная проверка технологии, а маломощная серия FlintNano-LPP находится на стадии продуктовой разработки. Тем не менее до начала полномасштабного коммерческого производства, по оценкам самой компании, пройдёт от трёх до пяти лет. Главные сложности заключаются в увеличении выходной мощности и повышении стабильности работы в долгосрочной перспективе. Помимо самого источника, для создания конкурентоспособной EUV-системы потребуются прецизионная оптика, высокоточные механизмы позиционирования пластин и сложная системная интеграция. Установки ASML состоят из сотен тысяч компонентов, которые поставляют более 800 компаний по всему миру — это экосистема, которую невозможно воспроизвести в сжатые сроки.
Контекст: DUV уже в производстве, EUV — следующая ступень
Ранее стало известно, что в Китае уже налажено производство менее совершенных литографических установок, работающих в глубоком ультрафиолете (DUV), и их поставки крупным местным производителям чипов ожидаются в 2026 году. EUV остаётся значительно более сложной задачей, требующей прогресса в целом ряде критически важных подсистем. Для ASML Китай является важным рынком: на него приходится около 20 % годовой выручки нидерландского производителя. При этом, по оценкам аналитиков, ASML в большей степени обеспокоена возможными новыми санкционными ограничениями со стороны США, чем текущим уровнем китайских разработок в области EUV-литографии. Тем не менее публичная демонстрация прототипа Langdao Silex стала символическим шагом, подтверждающим, что Китай последовательно сокращает технологическое отставание в одной из наиболее критичных для полупроводниковой отрасли сфер.
